- 业内人士称 DRAM 现货价格加速下跌
- 二季度DRAM市场出货量与价格均处高位 三星电子市场份额达43%
- 微结构不均匀性（负载效应）及其对器件性能的影响：对先进DRAM工艺中有源区形状扭曲的研究
- TrendForce：DRAM 总产值 Q2 达 241 亿美元，三星、SK 海力士、美光营收前三
- 存储成焦点，SK海力士量产EUV DRAM
- Trendforce：预计第三季度 DRAM 芯片价格继续小幅上涨
- SK海力士开始使用EUV大规模生产1anmDRAM
- SK 海力士：采用 EUV 技术的第四代 10 纳米级 DRAM 开始量产
- 在市场供给缺口持续扩大情况下，利基型DRAM价格再现飙涨行情
- 入局主流存储市场，兆易创新首款自有品牌DRAM产品正式发布
