- DDR 5：急速大跌！NAND Flash：大跌35%！
- NAND闪存芯片价格暴跌35%！原厂和卖方库存压力沉重
- TrendForce：受铠侠原料污染事件影响，NAND Flash 合约价 Q2 上涨约 3%-8%
- 消息称 NAND 闪存价格今年下半年进一步下跌，季度降幅达近 20%
- 又一家国产先进NAND闪存即将量产！工艺：19纳米
- 紧追 SK 海力士，三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存
- 消息称 SK 海力士正开发基于 238层NAND的UFS4.0 闪存
- TrendForce 预计 NAND 闪存需求明年增长 28.9%，供给增长 32%
- SK 海力士介绍 238 层 4D NAND 闪存：传输速度提升 50%，能耗减少 21%
- SK 海力士开发出 238 层 NAND 闪存芯片，明年上半年量产
