- DRAM内存2个月跌了57%，三星、SK海力士、美光愁哭了
- 紧追 SK 海力士，三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存
- 消息称 SK 海力士正开发基于 238层NAND的UFS4.0 闪存
- TrendForce：Q2 全球 DRAM 营收 255.9 亿美元，三星、SK 海力士共占 70.9% 份额
- 消息称 SK 海力士将于明年初在美国新建芯片封装工厂，耗资数十亿美元
- 全世界都在大力发展电动汽车，SK 电池材料公司宣布向越南 Vingroup 供应材料
- 美国对华“组合拳”显成效？传三星、SK海力士重新评估对华投资，或转向美国
- SK 海力士介绍 238 层 4D NAND 闪存：传输速度提升 50%，能耗减少 21%
- 成功通过中国、韩国反垄断审查，SK 海力士 5758 亿韩元正式收购 Key Foundry
- SK 海力士开发出 238 层 NAND 闪存芯片，明年上半年量产
