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SAMSUNG/三星KLUEG8UHDB-C2E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。256GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口
价格：电微咨询13928429281
SAMSUNG/三星KLUEG8UHDC-B0E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。256GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口
SAMSUNG/三星KLUFG8RHDA-B2E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。512GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口
SAMSUNG/三星KLUFG8RHDB-B0E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。512GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口
专业SAMSUNG/三星内存芯片K4E6E304EC-EGCG 容量16GB 速率2133Mbps 电压1.8V~1.2V 温度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封装
价格：电微13928429281
专业SAMSUNG/三星内存芯片K4E8E324EB-EGCG 容量 8GB 速率2133Mbps 电压1.8V~1.2V 温度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封装
专业SAMSUNG/三星内存芯片K4EBE304EC-EGCG 容量 32GB 速率2133Mbps 电压1.8V~1.2V 温度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封装
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专业SAMSUNG/三星内存芯片K4EBE304ED-EGCG 容量 32GB 速率2133Mbps 电压1.8V~1.2V 温度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K4F2E3S4HA-THCL 数据传输速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K4F2E3S4HA-TFCL 数据传输速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封装
