最大漏源电压达500V,这款MOS管的应用场景有哪些?
本期介绍的这款MOS管在高压应用场景中具有出色表现。这款MOS管具有很好的电气性能,采用N沟道制作,其能承受的最大漏源电压达500V,栅源电压±30V,连续漏极电流5A,漏源导通电阻1.45欧姆,最小栅极阈值电压2V,最大栅极阈值电压4V,耗散功率22mW。产品具有开关速度快,适用于开关电路,效率高,耐压值较高,适合很多需要耐高压的电路场景。耐电流能力强,产品导通电阻低,栅极驱动电压低,在开关效率上表出色,同时,它的低功耗特点使得在通讯、物联网等电路上应用很广。