三极管也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。本期，合科泰给大家介绍TIP42，这是一款PNP型中功率三极管，它广泛用于信号放大及音频功放用晶体管，可与TIP41 NPN管做互补对称管使用，它可用于电流信号放大和开关电路等上面。

近日，某大电动车厂推出两轮电动车，一时间两轮车成为热议。中国是全球最大的两轮电动车生产与消费大国，销量占全球的一半以上。随着电动双轮车方案的不断成熟，产业配套更加完善，产品性能继续提升的同时，价格也更合理。电动双轮车的工作原理是什么样的？二三极管MOS在电动双轮车上有怎样的应用，本期，合科泰带大家熟悉电动车的工作及内部结构。

五一国际劳动节是世界上80多个国家的全国性节日、全世界劳动人民团结战斗的节日。五一国际劳动节具有重要意义，劳动者通过斗争，用顽强、英勇不屈的奋斗精神，争取到合法权益，是人类文明民主的历史性进步。合科泰人勤劳、勇敢、坚强、敬业，合科泰集团在此对家人们表示感谢。在五一劳动节即将到来，合科泰集团祝大家劳动节快乐，心想事成，工作顺利，身体健康，家庭和睦，笑容常开。

血氧仪是一种常见的测量工具，主要测量指标分别为脉率、血氧饱和度、灌注指数等。血氧仪到底是如何工作呢？这种产品是基于先进的光学技术和生理学原理，为医疗工作者提供了一种方便、迅速、非侵入性的方法来监测患者的氧合水平，血氧仪的工作原理是通过末梢循环血液对不同波长的光束吸收率来反应血氧饱和度。本期，合科泰带大家深度认识血氧仪上的工作状况和分立器件产品在血氧仪上的应用。

4月23-24日，CIAS2024功率半导体新能源创新发展大会在苏州举行，合科泰受邀参加本次大会，在金翎奖颁奖典礼上，合科泰荣获“最具市场力产品奖”。

高压MOS管通常需要较大的栅极电压，以使MOS管可以承受高电压和高电流。高压MOS管的沟道区宽、漏极区大、栅极采用特殊工艺，这些特点使得它的管子能够承受高电压。高压MOS管可用于高压电路，具有高电压承受能力和低开关损耗，因此在高压电路中得到了广泛应用。本期，合科泰给大家介绍一款经典且常用的高压MOS管4N60，这个管子已经被广泛应用在开关电源、开关稳压器和电机驱动器等产品上。

电动汽车作为一种非常普遍的交通工具，为其充电是非常常规的一个动作。充电桩一种为电动汽车充电的重要装置，充电桩的充电性能直接关系到电池组的使用寿命和充电时长，这也是消费者购买电动汽车非常关注的要素。实现对动力电池快速、高效、安全、合理的电量补给是电动汽车充电器设计的基本原则。充电桩产品的性能是非常重要的，在充电桩产品中，桥堆的产品性能会直接影响充电桩安全和使用便捷性，这对于电动汽车充电桩而言至关重要。本期，合科泰给大家讲讲桥堆产品在充电桩上的应用，带大家了解桥堆产品的作用。

电动两轮车作为一种非常常用的交通工具，它非常实用、稳定、可靠，在我们短距离通行上面起到了关键作用。电动两轮车通常会配置电池充电器，本期，合科泰给大家讲解下电动两轮车充电器的工作原理，以及它会用到哪些IC和分立器件产品。

三极管全称是“晶体三极管”，也被称作“晶体管”，是一种具有放大功能的半导体器件，是一种双极性晶体管（bipolar junction transistor, BJT）器件。数字三极管（英文Digital Transistor）作为三极管的一种，也叫偏压型晶体管（Bias ResistorTransistor），它是内部集成了电阻的三极管，属于集成电路元件，也叫作带阻三极管。内部自带电阻，常用来做电子开关，和反相器功能相同。数字三极管优点是集成度高，省掉了外围电阻的组装，使用更方便，减少了客户使用电阻的成本。本期，合科泰给大家推荐一款小信号数字三极管DTC144EE，可用于音频放大、智能电视和音响等领域。

电源芯片作为一种调整输出电压和电流稳定的芯片产品，通常它是电源产品不可或缺的重要一部分。随着半导体产业的高速发展, 尤其是便携式产品和节能环保产品的出货量激增，市场对于 电源IC的需求越来越大。电源IC包括集成稳压器件、DC/DC、低压差线形稳压器、电池充放电管理、功率因数校正、节能控制芯片、PWM控制器、Reset、功率MOSFET等，这些产品在电源上发挥着重要作用。

LED电路是一种能够将电能转化为可见光的半导体，在需要使用比较多的LED产品时，如果将所有的LED串联，将需要LED驱动器输出较高的电压。如果将所有的LED并联，则需要LED驱动器输出较大的电流。将所有的LED串联或并联，不但限制着LED的使用量，而且并联LED负载电流较大，驱动器的成本也会增加，解决办法是采用混联方式。串、并联的LED数量平均分配，这样，分配在一个LED串联支路上的电压相同，同一个串联支路中每个LED上的电流也基本相同，亮度一致，同时通过每个串联支路的电流也相近。

MOS管有N沟道MOS和 P沟道MOS等，N沟道MOS是在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅绝缘层，在漏极和源极间的绝缘层上再装上一个铝电极作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。本期，合科泰给大家介绍一款N沟道MOS管HKTQ80N03，它可用于开关电路和电机驱动等上面。