4月18日，据DIGITIMES报道，三星电子的3nm GAA工艺良率仍远远落后于其目标。根据一份报道，三星正在努力提高其3nm GAA工艺良率，该工艺良率刚刚达到10%至20%之间。三星4nm工艺制造的良率也低于预期，仅为30%-35%。

市场消息人士认为，三星第一代3nm GAA工艺将首先用于三星自研芯片的制造，该工艺不太可能被外部客户采用。但该消息人士称，三星的第二代3nm工艺将为外部客户的芯片设计做好准备，预计明年开始量产。

据称，三星电子规划今年实现3纳米制程芯片量产，不过业内传言当前工艺（3GAE）的试产良率不尽如人意，仅达到约两成，低良率带来的高成本，使三星在3纳米工艺量产初期可能仅用于自有产品生产。