8月4日消息，据美国白宫当地时间周三（3日）发布公告，美国总统拜登将于当地时间8月9日签署价值约527亿美元的芯片补贴法案，包括为晶圆厂提供价值约240亿美元的投资税收抵免。拜登表示，“该法案有助于我们为美国本土半导体制造注入活力”。

需要指出的是，该法案也明确要求获得美国“芯片法案”补贴支持的半导体企业，在未来十年内禁止在中国大陆新建或扩建先进制程的半导体工厂。此举或将使得台积电、三星、英特尔、环球晶圆等众多已经或正计划在美国投资的厂商陷入两难，因为接受补贴，将导致其后续在中国大陆的投资受阻。

在“芯片法案”即将落地的同时，近期美国为限制中国大陆半导体产业的发展还打出一套“组合拳”。一方面，对中国大陆禁售14nm及以下先进制程设备，同时爆料还显示，美国还将对中国大陆禁售128层3D NAND制造所需的设备。这也意味着，即使台积电、三星、SK海力士等芯片制造商未来即使想在中国大陆发展先进也将受限。

此外，美国还计划对中国大陆禁售与GAA（环绕栅极）相关的EDA工具，这将限制中国大陆芯片设计厂商向尖端制程发展，等于是阻断了台积电、三星、英特尔获取来自中国客户的尖端制程芯片的订单。

在此背景之下，将进一步迫使台积电、三星、SK海力士等芯片制造商重新考虑未来在中国大陆的投资布局计划，并将其吸引到对美国的投资。

据金融时报当地时间8月3日报道，受美国芯片法案限制条款及美国持续限制大陆半导体产业发展的背景之下，韩国三星电子和SK海力士开始重新评估中国大陆投资案。

资料显示，三星西安NAND Flash闪存工厂是三星唯一的海外闪存工厂。其中，三星西安闪存工厂一期项目（第一工厂）于2012 年9 月开工，2014 年5 月投产，预计总投资为70 亿美元，但随后在一期项目进行扩建后，使得整体投资金额达到了108.7 亿美元。

2017年8月30日，三星决定投资70亿美元在西安高新区进行二期项目建设，即建设第二座12吋NAND Flash晶圆厂，随后在2019年12月，三星计划再投资80亿美元对于第二工厂进行扩产，使得总投资金额到150 亿美元。此前，三星西安NAND Flash第二工厂已于2021年投产，而第二工厂的扩产也已于今年2月完成，数月前已开始投产。

统计数据显示，目前三星在西安的两座3D NAND工厂，投片量占该公司 NAND 闪存总产能的 42.3%，全球产能占比也高达 15.3%。

至于SK海力士，其于2020年收购了英特尔NAND闪存业务，其中包括英特尔大连闪存工厂。2021年，SK海力士顺利完成第一阶段交割。为加快推动项目发展，决定在大连继续扩大投资并建设新工厂。

在大连新建NAND闪存工厂的同时，SK海力士还通过追加投资对无锡、重庆工厂进行了产能扩充，并重点推进了8英寸晶圆代工合资厂、产业园等多个不同领域的在华项目。

资料显示，目前SK海力士的晶圆代工业务，主要由旗下的SK Hynix System IC负责。SK Hynix System IC已经将原本在韩国清州的8吋晶圆厂（M8）搬到了中国无锡，原本的月产能约为10万片8吋晶圆，主要生产8吋CMOS图像传感器（CIS）及电源管理芯片。在晶圆代工市场方面，占据约2%的市场份额。

报道称，一位资深韩国官员表示，随着时间过去，韩国在中国的数项新的芯片投资案可能会遭“放弃”，“要是中方不开心，得去跟美国谈”，这显示美国力促芯片大厂脱中转美的努力，初见成效。

SK Securities研究主管兼韩国政府半导体政策顾问Kim Young-woo说，芯片法案当中防堵中国大陆的“护栏”条款，促使韩国芯片厂未来布局从中国转向美国。美中科技战让韩国厂商反思，如今的地缘政治风险，让他们更偏向美国。三星和SK海力士如果不使用美国设备和技术，则无法量产尖端芯片，两家公司或将在美国打造更多工厂。如果必须在美中之间做抉择，他们只能挑选美国。

今年5月才卸任的韩国经济部官员Yeo Han-koo也说，韩企开始“调整”美中策略。新经济秩序正在型塑当中，企业重新评估局面，并据此调整战略。