在芯片制造企业中，台积电可以说一马当先，尤其是在先进制程芯片的产能和良品率方面，随后是三星、英特尔、中芯国际等企业。

用台积电张忠谋的话说，三星是台积电的劲敌，中芯国际与台积电还有5年的差距。

毕竟，三星在工艺方面与台积电不分伯仲，只是产能和良品率低一些，而中芯国际目前能够量产N+1、14nm等制程的芯片，而台积电则开始量产3nm芯片了。

虽然两者之间存在一些差距，但也是有原因的。因为中芯早在2019年就全款订购了一台，但ASML的EUV光刻机却不能自由出货。

另外，梁孟松也表示EUV光刻机到货后，5nm芯片就能够全面展开研发了。

不过，全球缺芯后，情况就出现了变化，各大晶圆工厂都积极扩大芯片产能，其中，台积电计划投资1000亿美元，主要提升先进制程芯片的产能。

三星计划在未来10年投资超2000亿美元扩产，而英特尔也宣布了1000亿美元的投资建厂计划。

但是，中芯国际的动作也很快，关键是很准确，其早在2020年就开始投资扩产，直接投资500亿元扩大28nm等芯片生产线。

随后，中芯国际又在深圳、上海、天津三个城市宣布投资建厂，仍是扩大28nm等芯片的生产线，四次投资超过1700亿元。

如今，全球缺芯得到了缓解，先进制程芯片的产能已经出现过剩，高通、联发科等削减订单，英特尔、苹果等推迟了3nm芯片，但成熟工艺芯片仍很紧缺。

甚至有消息称，台积电计划放弃N3工艺，明年直接采用N3E工艺，同时，由于先进制程芯片订单减少，都计划关闭部分EUV光刻机。

这意味着中芯国际赌对了，其多次扩大28nm等芯片的产能是正确的做法。

更何况，ASML也表示28nm等成熟工艺的芯片才是最缺的产品，这影响了半导体、汽车等众多行业。

当然，中芯国际不仅在28nm芯片产能方面领先，其还实现了BCD工艺方面领先。

据悉，BCD工艺是单片集成工艺，就是将三种不同的元器件集中在一颗芯片上制造，该工艺的芯片主要用在汽车、通信等领域内。

就目前而言，在BCD工艺方面，中芯国际也做到了领先，已经实现了55nm。

要知道，BCD工艺的55nm与其它工艺不同了，毕竟，意法半导体的BCD工艺是90nm，台积电和三星的BCD工艺也停留在65nm。

从这一点就能够看出来在，中芯国际在BCD工艺方面是再次领先了。

当然，在28nm芯片扩产和BCD工艺方面，中芯国际做到了领先优势，台积电也是变相承认了这一点。

据悉，台积电已经开始扩大28/22nm等制程的芯片，其先是扩大南京工厂产能，随后又在日本建厂，还计划在欧洲、印度等地区建厂。

台积电大肆投资建设28n/22nm等芯片工厂，这就说明其承认中芯国际扩大28nm芯片产能的做法是正确的。

另外，台积电总裁魏哲家早就表示28nm等芯片满足汽车、5G通讯等诸多行业对芯片的大量需求，还是实现了性能和成本之间的平衡。

台积电总裁魏哲家日前再次警告称，低端芯片的短缺，正在让整个半导体产业受到影响。而所谓低端芯片就是28nm等成熟工艺的芯片。

要知道，台积电也出现了产品交付延期的现象，主要原因就是制造芯片的设备中缺少了一些低端芯片，从而阻止了更多芯片的生产。

由此可见，中芯国际及早扩大28nm等芯片产能，还押注BCD等工艺，这完全是赌对了。

所以才说再次领先！中芯国际赌对了，台积电变相承认了。对此，你们怎么看。