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ASML CTO:EUV光刻技术,或在2025年走到尽头,意味芯片工艺停止?
2022-09-30 来源:互联网乱侃秀
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关键词: ASML 光刻机 集成电路 台积电

众所周知,目前最牛的光刻机,还是ASML的EUV光刻机,用于7nm及以下工艺芯片的光刻,且全球只有ASML能够制造EUV光刻机。

自从2015年推出第一代EUV光刻机后,ASML目前也发展了3代,从最开始NXE:3400B,到NXE:3400C再到NXE:3600D,预计在今年可能会推出新一代的机器,叫做NXE:5000。

而到2025年可能会推出全新一代的High-NA EUV光刻机。何谓High-NA EUV,即高数值了孔径的EUV光刻机。

之前的EUV光刻机,其数值孔径(NA)为0.33。而High-NA EUV光刻机,其NA达到了0.55。

数值孔径高了,有什么用?值孔径代表的其实是解析度(精度),数值孔径越高,解析度越高,精度也就越高,这样可以更好,更快的曝光更复杂的集成电路图案,降低单次构图间距。

比如数值孔径为0.55的High-NA EUV光刻机,就可以用于2nm芯片的光刻,而数值孔径为。0.33NA的EUV光刻机,主要用于3nm-7nm芯片的光刻。

那么全新一代的High-NA EUV光刻机之后,又会是什么样的光刻机?近日ASML的首席技术官Martin van den Brink接受媒体采访后表示,这可能是EUV最后一代技术了。

也就是说2025年推出全新的High-NA EUV光刻机NXE:5200之后,可能无法再提升数值孔径,只能维持在这个精度了。

Martin van den Brink表示,虽然ASML以研究,想要再提升数值孔径,但目前无法解决难题,并且由于制造成本过高,经济上也不可行,所以NXE:5200可能是最后的EUV光刻机了。

那么NXE:5200之后,会是什么样的技术?近日美国某公司推出了电子束光刻机,能够制造0.768nm的芯片,但无法批量制造芯片,只能小规模的生产。另外还有俄罗斯在研究“无掩膜X射线光刻机”等,据称能够比EUV光刻机精度更高。

就看这些与EUV不同的技术,能不能实现更高的精度,并且能够批量生产了,否则摩尔定律可能真的到了2nm之后,就要失效了,芯片工艺无法再前进了,因为光刻机精度无法再提高了。



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