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挑战ASML的EUV光刻机:美国采用电子束,俄罗斯采用X射线
2022-09-30 来源:互联网乱侃秀
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关键词: 光刻机 ASML 半导体 集成电路

目前的芯片制造技术,是离不开光刻机的。而EUV光刻机,更是成为了尖端半导体制造技术的代名词,因为所有7nm及以下的芯片制造,离不开EUV光刻机。而全球仅有ASML能够生产EUV光刻机。

不过目前ASML也遇到了技术瓶颈,那就是采用13.5nm波长的EUV光刻机,就算到2025年推出全新的0.55数值孔径的全新一代High-NA极紫外光刻机,其极限可能也在2nm。

而ASML的首席技术官Martin van den Brink近日表示,High-NA可能是EUV光刻机的极限,代表着2nm可能就是EUV光刻机的尽头了,1nm以下可谓难如登天。

而只要光刻机技术无法前进,芯片工艺就无法前进,摩尔定律就真的死了,所以全球的厂商们,都在想方设法,用其它技术来挑战EUV光刻机。

一方面是为了抢ASML的市场,另外一方面则是为摩尔定律续命。

近日美国公司Zyvex Labs表示,他们推出了亚纳米分辨率的光刻系统Zyvex Litho 1,分辨率可以达到0.768nm,大约是两个硅原子的宽度,并且制造出了0.768nm的成品芯片。

这就突破了EUV光刻机的极限了,并且使用的是不同于EUV的光刻技术,采用的是EBL电子束光刻方式。

不过目前这种技术的缺点是产量很低,无法大规模制造芯片,但至少代表了一个技术方向,说不定未来技术改进,能够大规模制造芯片了呢?

而俄罗斯,之前则公布了另外一种技术,那就是基于X射线的无掩膜式光刻。

这种技术与EUV光刻机,有两种不同之处。一是采用X射线,波长介于0.01nm至10nm之间,比13.5nm的极紫外线波长更小,从而精度更高。二是无掩膜,直接操纵X射线进行光刻,不需要提前制作掩膜。

不过俄罗斯目前并没有制造出成品芯片,也没有突破EUV光刻机的极限,还只是一个理论方向。

接下来就看ASML、美国、俄罗斯们的技术前进了,看谁能够真正突破EUV光刻机的极限,突破2nm制程,接档EUV光刻机,让摩尔定律能够继续成立。

当然,我们也更希望中国的厂商们,能够成为突破EUV技术极限中的一员,毕竟我们已经被光刻机卡住太久的脖子了,急需突破。



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