不过5nm、4nm这两个节点上，三星确实是没拼过台积电的，因为良率太低，工艺表现不佳。

所以在3nm上，三星拼了一把，提前量产了3nm，并且采用了最新的GAAFET晶体管技术，不过从现在的情况来看，三星估计在3nm上还是拼不过台积电，毕竟客户基础是台积电的优势。

这不，三星将目光又将目光瞄向了更先进的工艺，比如2nm，以及2nm之后的工艺。

之前三星表示，要在2025年量产2nm，而台积电也表态要在2025年量产2nm，这给三星非常大的压力，于是三星近日再放豪言，要在2027年量产1.4nm。

至于为何是2027年，原因是2027年台积电未必能够量产1.4nm，因为按照台积电的计划，2025年量产2nm后，下一代工艺，可能要再过3年以上，也就是要到2028年去了。

那么三星2027年能不能量产1.4nm？这个不好说，不过我知道，现在三星连生产1.4nm芯片的光刻机都没着落，所谓的2027年量产1.4nm，真的只是在嘴上说说而已。

按照ASML的说法，最新一代的EUV光刻机，会在2025年左右推出，型号是NXE:5200，采用的是0.55NA的数值孔径，能够用于2nm芯片的光刻。

但这一代之后，EUV光刻机技术，基本上就发展到了尽头了，之后再是什么技术，ASML不知道。

而NXE:5200能不能生产1.4nm芯片，ASML自己都心里没底，只是说能够搞定2nm芯片。

芯片技术发展到现在，更新一代已经是越来越慢，需要的时间越来越长，因为工艺接近极限了，越缩小越难。

从5nm到3nm，差不多是2年多。从3nm到2nm，要3年。从2nm到1.4nm，保守估计也要3年以上，所以三星说2027年就量产，明显不太可信，你觉得呢？