众所周知，光刻机是当前晶圆厂商们制造芯片不可缺少的产品，而EUV光刻机，则用于7nm及以下的芯片制造，更是核心中的核心。

不过EUV光刻机，只有一家厂商能够制造，那就是荷兰的ASML。所以EUV光刻机，是被监管的，比如中国大陆、俄罗斯等国家，有钱也是买不到的，美国不准卖，美国不允许中国大陆、俄罗斯等国家，能自己制造出7nm及以下的芯片，抢自己的饭碗。

所以在当前情况下，不管是中国，还是俄罗斯等国家，要想生产7nm及以下的芯片，EUV光刻机是必须自己研发并生产了来。

当然，如果有其它技术方案，不用EUV光刻机，也能够制造出7nm及以下的芯片，那当然更好，但显然目前还没有。

之前俄罗斯计划，采用X射线，进行无掩膜式光刻，来绕开EUV光刻机，实现7nm及以下芯片的制造。

这个技术采用的是波长介于0．01nm至10nm之间的X射线，然后直接在晶圆上进行光刻，由于X射线比13．5nm的极紫外线波长更小，从而精度更高，理论上可以搞定7nm，甚至5n、3nm、2nm芯片光刻，但目前并没有实现。

而近日，俄罗斯又提出了另外一种技术方案，来搞定7nm芯片的光刻，并计划在2028年实现。

这项技术采用的是微影光刻技术，计划使用大于600W的光源、曝光波长为 11．3nm（EUV 波长为13．5nm）的光线来进行光刻，

俄罗斯计划是2024年推出首次产品，然后2026年可以量产芯片，到2028年推出终极版，然后可以用于大规模芯片制造。

按照业内人士的说法，如果俄罗斯的这种产品研发成功，是可以取代EUV光刻机的，不过缺点是产能会低于EUV光刻机，毕竟功率会小一些，但也因为功率小，所以工具成本会更低一点。

那么就看2024年俄罗斯能不能率先推出这种设备了，如果能，那么2028年有望成功，如果2024年推不出来，那么更远一点的目标肯定也完不成。

说真的，我们还是蛮希望俄罗斯成功的，虽然感觉上也不太靠谱，毕竟一旦俄罗斯成功了，我们应该可以共享这项技术。