以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体已成为国内外头部企业竞争的新焦点。根据《“十四五”规划和2035年远景目标刚要》，集成电路先进工艺和IGBT、MEMS等特色工艺突破，SiC、GaN等宽禁带半导体发展攻关成为重要任务，功率半导体行业发展处于“攻坚克难”时期。

经过多年部署，我国形成了长三角、京津环渤海、泛珠三角和中西部区域四个集成电路产业集聚区。在政策加持下，中西部地区以宽禁带半导体、车规级半导体为代表，正在形成特色产业集群；北京、上海集成电路产业中心的作用不断逐渐加强，进而形成比较完整的地区产业生态。

在宽禁带半导体产业发展取得成果的同时，我们与世界先进水平比还有很大差距，仍需要产业界攻坚克难，突破核心关键技术。由 和Bodo’s功率系统杂志主办，将于12月1日在深圳国际会展中心（宝安）11号馆中举办“Bodo's宽禁带半导体论坛”。

“Bodo's宽禁带半导体论坛”是宽禁带半导体领域的年度专家会议，涵盖SiC、GaN和相关主题。该活动已连续5年在德国成功举办，今年将亮相登场在深圳电子元器件及物料采购展览会，活动聚集了全球数百名行业专家，将分享宽禁带半导体领域的技术发展和最新成就。

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深圳电子元器件及物料采购展览会

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陈倩怡  女士 

Stephenie Chan

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*在疫情防控常态化背景下，本届展会所有观众都将采用实名登记及现场使用“本人身份证”验证换取胸卡入场