华为近日公布了一项名为“反射镜、光刻装置及控制方法”的EUV光刻机专利，华为突然介入光刻机行业，以华为以往向来不打无准备之仗的惯例，这意味着华为在光刻机方面已取得了重大突破，对中国的光刻机产业无疑是重大的助力。

业界都清楚光刻机是一项技术密集度极高的产品，而EUV光刻机更是科技的皇冠，ASML的EUV光刻机就需要10万多个零部件，需要全球5000多家供应商供应，这些供应商分别在美国、德国、日本等地，可以说没有任何一家企业可以独立完成EUV光刻机的制造。

正是由于EUV光刻机的技术难度，目前全球仅有ASML一家能生产出EUV光刻机，ASML也依靠独有的EUV光刻机获取了丰厚的利润，而ASML深受美国的影响，在美国的影响下导致ASML无法自由出货EUV光刻机，甚至成为中国芯片制造的最大障碍。

近几年来中国极力发展芯片制造产业链，经过近十年来的努力，中国在芯片制造的八大环节都已达到14nm，刻蚀机更已达到5nm，而芯片封测技术已达到3nm，仅有光刻机还停留在28nm以上。

面对如此窘境，中国的芯片产业链急需一个强力的企业推动光刻机打破这个最后的瓶颈，而华为研发EUV光刻机技术，无疑为中国的光刻机打开了一个窗口，意味着中国在光刻机技术上开创了新局面。

华为研发的“反射镜、光刻装置及控制方法”的EUV光刻机专利，其实就是光刻机的核心技术之一，从90nm工艺以来，DUV光刻机所采用的光源都是193nm的光源，而EUV光源则是13．5nm，通过在水等介质的多次折射得到相应波长的光线，从而实现了以193nm光源生产65nm至7nm工艺、13．5nm光线实现7nm至2nm的工艺，华为的研发的光刻机技术应该就是为了解决这个核心技术问题。

华为亲自下场研发光刻机，在于它已深刻认识到等待美国“解禁”EUV光刻机遥遥无期，毕竟如今美国连14nm以下的DUV光刻机都不让ASML出售给中国，如此华为亲自下场研发EUV光刻机技术，可以加速中国的光刻机技术的进展。

华为此前的技术研发也证明了它一旦公开了相关的专利，就意味着它在技术研发上已取得了突破，毕竟它拥有近20万的技术研发人员，每年投入的技术研发资金高达千亿，即使是当下它的业务面临窘境，仍然坚持千亿研发投入，所以它取得光刻机技术突破应该可信的。

国产的光刻机已形成了一条完整的产业链条，成为全球唯一拥有光刻机全产业链的经济体，双工作台、光学系统、物镜系统、光源系统方面都已有相关企业研发成功，如今华为在光线折射技术方面的突破，无疑将补上最后的短板，如此国产EUV光刻机成为现实的日子进一步靠近。

国产光刻机的技术突破对ASML无疑是巨大的威胁，或许正是感受到中国在光刻机技术方面的突破，ASML表示它是一家欧洲企业拥有自由出货的距离，同时大举扩张它在中国的员工数量，近期又计划在未来数年大幅扩张DUV光刻机、EUV光刻机的产能，业界人士普遍认为这是ASML为了向中国出售光刻机做准备。

以往在诸多技术行业都证明了只要中国取得技术突破，海外企业就会迅速大举供货并降低价格，如今ASML面对中国在光刻机方面的突破，或许它对中国出售EUV光刻机的脚步也快了。