众所周知，目前中国芯受到了美国的全方面打压，涉及到技术、设备、材料、资金、人才等等方面。

在这样的情况之下，先进工艺的进展非常受限，毕竟先进工艺高度依赖国外的设备、技术等，比如EUV光刻机等等。

在当前的情况之下，要实现先进工艺的突破，必须等国产半导体产业链的突破，比如有国产EUV光刻机等全套国产设备，这样才能够助力中国芯片产业破除或者缓解“卡脖子”难题。

在这样情况之下，很多人表示，那么我们可以利用小芯片技术、芯片堆叠等的技术，将不那么先进的芯片，通过多颗整合，最终实现先进工艺的性能，从而解决先进工艺难题。

理论上来看，确实是这样，比如我用2颗14nm的芯片堆叠，也许确实能够媲美7nm的芯片，用2颗7nm的芯片，也许能够媲美5nm，甚至3nm的芯片（不一定准确，随便说的）。

当然小芯片技术，就更加厉害了，通过封装技术，将不同工艺，不同类型的芯片封装成一颗芯片，实现更强的功能，更高的性能。

但是，大家想过没有，就算2颗7nm的芯片封装在一起，达到了3nm芯片的性能，功耗怎么办？发热怎么办？2颗7nm的芯片，功耗和发热，可能是一颗3nm芯片的N倍。

更重要的是，你用2颗7nm的芯片来堆叠，别人不会用2颗3nm的芯片来堆叠么？堆叠的芯片工艺越先进，那么性能也就更高，那么堆叠后的性能差距就更大了。

当你还在用14nm工艺来堆叠，别人用3nm芯片来堆叠了，性能差距就是几何倍数增长了，拉得更大了。

所以先进工艺终究是绕不过的坎，不可能通过什么小芯片技术、堆叠技术，就可以绕开的，也不可能通过这些技术，就可以弥补先进工艺的。

只能说，在当前先进工艺受阻时，可以用小芯片、堆叠的技术，暂时提升芯片的性能，最终还是要回归到先进工艺的研发上来，不存在换道超车，或者弯道超车一说。