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先进工艺才是根本,靠小芯片、堆叠等技术,救不了中国芯
2022-11-24 来源:互联网乱侃秀
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关键词: 中国芯 光刻机 芯片

众所周知,目前中国芯受到了美国的全方面打压,涉及到技术、设备、材料、资金、人才等等方面。

在这样的情况之下,先进工艺的进展非常受限,毕竟先进工艺高度依赖国外的设备、技术等,比如EUV光刻机等等。

在当前的情况之下,要实现先进工艺的突破,必须等国产半导体产业链的突破,比如有国产EUV光刻机等全套国产设备,这样才能够助力中国芯片产业破除或者缓解“卡脖子”难题。

在这样情况之下,很多人表示,那么我们可以利用小芯片技术、芯片堆叠等的技术,将不那么先进的芯片,通过多颗整合,最终实现先进工艺的性能,从而解决先进工艺难题。

理论上来看,确实是这样,比如我用2颗14nm的芯片堆叠,也许确实能够媲美7nm的芯片,用2颗7nm的芯片,也许能够媲美5nm,甚至3nm的芯片(不一定准确,随便说的)。

当然小芯片技术,就更加厉害了,通过封装技术,将不同工艺,不同类型的芯片封装成一颗芯片,实现更强的功能,更高的性能。

但是,大家想过没有,就算2颗7nm的芯片封装在一起,达到了3nm芯片的性能,功耗怎么办?发热怎么办?2颗7nm的芯片,功耗和发热,可能是一颗3nm芯片的N倍。

更重要的是,你用2颗7nm的芯片来堆叠,别人不会用2颗3nm的芯片来堆叠么?堆叠的芯片工艺越先进,那么性能也就更高,那么堆叠后的性能差距就更大了。

当你还在用14nm工艺来堆叠,别人用3nm芯片来堆叠了,性能差距就是几何倍数增长了,拉得更大了。

所以先进工艺终究是绕不过的坎,不可能通过什么小芯片技术、堆叠技术,就可以绕开的,也不可能通过这些技术,就可以弥补先进工艺的。

只能说,在当前先进工艺受阻时,可以用小芯片、堆叠的技术,暂时提升芯片的性能,最终还是要回归到先进工艺的研发上来,不存在换道超车,或者弯道超车一说。



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