众所周知，芯片问题不仅是华为当下面临的困难，也是我国亟需解决的问题。事实上，早在华为遭遇“卡脖”的时候，华为任正非就说过，国内可以设计出顶尖的芯片，而是因为缺少EUV光刻机，设计出来的高端芯片无法完成制造。

要知道，高端芯片与成熟芯片的分水岭是7nm工艺，而EUV光刻机作为7nm及以下制程必须用到的核心设备，在全球范围内只有ASML一家可以生产出来。因为其使用的有美国的光源技术及相关元器件，所以受禁令影响，不能向中企供货。

然而，令ASML没有想到的是，近期老美再次向荷兰方面施压，让其扩大光刻机出货范围，把DUV光刻机也列入禁令范围内。但ASML这次却没有再像之前那样“乖乖听话”了，而是选择“硬刚”老美，称其是一家欧洲公司，DUV光刻机作为已经成熟的设备，不在禁令之内，将会继续向中企供货。

其实ASML有这样的态度也是正常的，EUV和DUV这两种光刻机作为ASML重要的营收来源，而中国是全球最大的光刻设备消费市场之一，更是ASML主要布局的市场。另外，近期全球市场传来的消息，是ASML“硬刚”老美的重要因素，也是ASML哀愁的开始。

首先，美光宣布采用1-beta制造工艺绕开EUV光刻机制造出了DRAM高性能芯片，测试数据显示，该芯片在能效和储存密度上均得到明显的提升，分别为25%和30%，更为关键的是功耗大幅降低20%。现在已经处于技术测试阶段，一旦通过测试，就可以进行量产。

更为关键的是据美媒报道，Zyvex Labs公司推出了精度也远超EUV光刻机的全球分辨率最高的亚纳米分别系统，可以绕开EUV光刻机制造出0.768nm的芯片。

其次，台积电牵头联合三星记忆本、SK海力士等19家芯片巨头成立了“3D Fabric”联盟，其目标是研究3D封装技术，使其达到成熟化标准。并且该封装技术已经得到AMD的验证，在不依靠EUV光刻机的前提下，提升了芯片的性能。

要知道，台积电是全球芯片代工领域的“老一”，拥有80台EUV光刻机，如今也在寻求绕开EUV光刻机的方法，这才是令ASML最为担心的地方。

另外，日本铠侠和佳能联合推出了纳米压印微影技术，与目前制造高端芯片需要的主流EUV光刻机相比，成本降低40%左右，预计2025年实现5nm芯片工艺的量产。

最重要的是，国内首条光子芯片生产线已经在建设阶段，预计在2023年可以建成投产，光子芯片的制造完全不需要EUV光刻机的。国内封测大厂通富微电前不久宣布突破了5nm芯粒技术；此外，华为也申请了超导量子芯片专利。

值得注意的是光子芯片、芯粒技术，还是量子芯片，这些都是不需要EUV光刻机。国内完全可以在这些方面另辟蹊径，实现高端芯片的国产制造。

不管是美光的1-beta工艺、台积电的3D封装技术以及日本佳能推出的纳米压印微影技术和国内另辟蹊径取得的技术突破，均已表明高端芯片的制造。这也意味着ASML哀愁的开始，EUV光刻机不再是唯一选择。

如今，全球半导体格局正在发生微妙的变化，而国产芯片正处于突破技术壁垒的关键时期，国内企业要做的就是坚持自主研发，一方面继续对传统的EUV光刻机技术进行攻克，另一方面在另辟蹊径的道路上技术加大研究，只有掌握核心技术，才能在半导体行业进行大“洗牌”的时候掌握主动权。

要始终明白，在国产芯片崛起的道路上，要放弃一切幻想，抛开一切杂念，早日突破技术封锁，才能摆脱被“卡脖”的命运，让别人都不敢在欺负我们。