考虑到ASML是集全球之力造EUV光刻机，且与上下游形成了利益同盟，所以其它厂商想在EUV光刻机上超过ASML，基本上不可能的。

所以其它厂商，只能另想办法，换道超车，用另外的技术来替代EUV光刻机。

目前已经有三大方案，都被认为是可以替代EUV光刻机方案的，并且被大家重视，很多企业更是投入巨资研发，以期有所突破，进而替代EUV光刻机。

第一大方案是NIL纳米压印，其原理类似于打印机一样，先在模具上刻上纳米电路的图案，再把这个图压在硅片的感光材料上，同时用紫外线照射，就能完成转印，这种方式可以达到至少2nm的精度。

佳能一直非常重视NIL纳米压印技术，甚至在2021年就造出了机器，被铠侠用于NAND闪存制造中，只不过目前精度还不太够，不能替代EUV光刻机。

但在NIL技术上，佳能的专利最多，技术最成熟、最先进，很明显，佳能就押注这个技术了。

第二大方案是电子束光刻机(EBL)，用高能电子束来替代极紫外线，电子对应的波长只有0.04纳米，加工精度就比EUV又高了不少。

目前在这一块比较突出的是美国，前不久前段时间美国公司Zyvex，就搞出了一台电子束光刻机(EBL)，并制造了768皮米（0.768nm）。

并且Zyvex还接受电子束光刻机订单，称只需要6个月就可以交货，很明显，这种技术也能够替代EUV光刻机，唯一的用这种方式，速度非常慢，但后期还有改进空间。

第三大方案则是自组装（DSA）光刻，所以谓的自组装光刻，就是用一些化学物质，诱导光刻材料在硅片上自发组成我们需要的结构，中间不需要光刻机参与。

这种方式比传统光刻分辨率更高，加工速度也不受影响，但它对材料控制的要求特别高，目前还没有成熟的解决方案，还处在实验室阶段。

而对这一技术研究较深的是比利时微电子中心、麻省理工学院，他们都建立了自组装产线，进行相关研究，三星在DSA上申请的专利最多，也非常重视这一 技术。

至于俄罗斯曾提出X-射线方案等， 但这些在目前并不主流，主流的还是以上三种方案，并且这三种方案中的一种或几种，也非常有可能在未来替代EUV光刻机。

不过可惜的是，当前我们似乎在这三种方案上都不太突出，当然也有可能是保持低调，不愿意秀出实力来，但不得不说，研究EUV光刻机，或者研究能替代EUV光刻机的技术，对于中国芯而言，是势在必行，再难也要上的，否则中国芯就会一直被卡脖子，你觉得呢？