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SiC技术在矿机电源系统中的产品和方案
2022-12-30 来源:
1280

大家说的挖矿就是数字加密货币的计算过程,结果是生成“金币”。"挖矿"特别考验算力与功耗,单位功耗下算力越高,则代表"挖矿"能力越强,虽然矿机芯片厂商在不遗余力地提升算力,但由于挖矿规模不断扩大,其消耗的总电量相当惊人且在持续增长。在提升矿机电源系统效率的过程中,SiC(碳化硅)是一项具有代表性的技术,让矿机持续向着更高功率密度进发。今天我们将为大家介绍SiC技术在矿机电源系统中的产品和方案。 

 

SiC技术在矿机电源系统中的产品和方案


SiC技术可提升矿机电源效率

作为半导体材料,SiC具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,这便给SiC器件带来了诸多特征参数方面的提升,比如更低的开关损耗和导通损耗,更高的耐压容量,更高的工作频率,更高的工作温度,更高的功率密度等等,而这些都是提升矿机电源功率以及电能转化效率的好办法。

 

在提升电源功率方面, SiC是能够承受高电压和大电流的新型半导体,因此对于功率提升是其天然的优势,能给矿机电源带来积极的变化。同时,由于SiC器件相较于传统的Si器件拥有更低的开关损耗和导通损耗,因此能够显著减少系统中的散热器件,并借助创新拓扑减小电容等无源器件的尺寸,实现更高的功率密度。

 

SiC技术在矿机电源系统中的产品和方案

 

在提升电能转化效率方面,SiC器件具有非常低的导通电阻,那么开发人员就能够借此实现更高的开关频率,实现更高的效率水平。对于传统的Si器件而言,想要实现更高的效率水平,系统设计的难度会成倍增加,并且往往最终量产的功率芯片面积会较大。而大家都知道,功率芯片的价格通常与总芯片面积成正比,因此产品吸引力会大大下降。

 

除了大家最为关注的功率和效率,实际上在具体电路中,SiC器件相较传统Si器件在热击穿、电压/电力浪涌保护等方面都表现的更出色,这也就意味着SiC器件能够给电源系统带来更高的稳定性。无疑,这些都是矿机电源迫切需要的。从矿机电源的历史发展轨迹来看,目前已经走过了小功率和粗犷大功率时代,全面进入高度定制的精细化大功率时代。在此过程中,SiC器件能够帮助矿机在效率、可靠性和热管理等方面带来巨大的提升。

 

SiC技术在矿机电源系统中的产品和方案


应用在矿机电源系统中的SiC器件


在众多的SiC器件中,SiC FET通常会被认为是一种接近理想的开关方案,通过采用共源共栅结构,在性能表征(FoM)方面取得了好的效果,甚至是超越了同阵营的SiC MOSFET。

 

SiC FET 产品相关信息


①UJ4C075060K3S

 

SiC技术在矿机电源系统中的产品和方案

 

UJ4C075060K3S是UnitedSiC UJ4C系列第四代750V SiC FET产品,基于独特的共源共栅电路配置打造,拥有诸多优秀的性能。如上图所示,这些性能表征的改善即便是与同为SiC器件的SiC MOSFET相比都是显而易见的,我们在此进行一下更详细的解读。

 

在RDS(on)方面,UJ4C075060K3S提供60mΩ超低RDS(on),并且单位面积通态电阻更低,本征电容也很低;降低了Coss(er)/Eoss和Coss(tr);改善Qrr和Eon/Eoff在指定RDS(on)下的损耗。因而,在硬开关应用中,UnitedSiC第4代FET表现出超低的RDS(on)x EOSS,从而降低了导通和关断损耗。

 

在产品使用方面,UJ4C075060K3S可用标准0V至12V或15V栅极驱动电压安全驱动,与所有Si IGBT、Si FET和SiC FET驱动电压一样,因此能够持“直接替代”现有的Si IGBT、Si FET、SiC FET或Si超级结器件,从而显著提高系统性能,而无需改变栅极驱动电压。此外,UJ4C075060K3S的优秀性能还包括出色的反向恢复、优秀的体二极管性能、低栅极电荷以及ESD保护等。

 

②UJ4C075060K3S


这款器件同样属于UnitedSiC UJ4C系列第四代750V SiC FET产品系列,和UJ4C075060K3S的区别在于封装。此外还有四引线TO-247-4封装,也就是UJ4C075060K4S。

 

上述性能优势,UJ4C075060K4S全部都具备。当然,由于采用四引线TO-247-4封装,UJ4C075060K4S也有与UJ4C075060K3S不同的地方。通过开尔文源极设计,UJ4C075060K4S显著降低了开关损耗和栅极振铃。同时,TO-247-4封装相较于TO-247-3L封装,不仅可以简化驱动设计,而且还消除了栅极驱动回路中源极的封装电感部分,缩短驱动路径,减小杂散参数,加强驱动设计的可靠性。

 

UnitedSiC UJ4C系列第四代750V SiC FET面向的应用领域。除了可用于矿机电源系统,第四代750V SiC FET在工业充电、电信整流器、数据中心PFC直流转换、可再生能源和储能应用中具有广泛的应用前景。需要特别指出的是,第四代750V SiC FET符合AEC-Q101标准,也能够加速宽带隙器件在汽车充电领域的快速发展。

 

总结:


SiC技术可提升矿机电源效率和可靠性,这也是SiC天然的优势,能给矿机电源带来积极的变化。所以在提升矿机的用电效率,追求“挖矿”收益最大化这一事情上,SiC器件起着至关重要的作用。

 

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