目前中国大陆芯片工艺最先进的是中芯，早就实现了14nm工艺。

不过大家也都清楚，因为中芯的进步，让美国感到了忌惮，所以将中芯拉入了黑名单，对先进工艺的设备进行了限制，想要锁死我们16/14nm以下先进逻辑制程，一直停留在14nm。

但是，大家要清楚，这个所谓的14nm工艺，其实也是在进口各种设备的情况下实现的，如果采用全国产设备，14nm目前是不可能实现的。

按照某些专业人士的说法，目前全球没有一个国家，可以实现晶圆厂的全产业链，也没有一家晶圆厂，可以不需要美国的技术。

如果有这么一个国家的晶圆厂，可以实现全产业链，可以不需要美国的技术，那么它一定是中国，但也不是现在，而是将来。

就拿14nm工艺来说，目前我们同样大量依赖从美国进口设备，材料、软件等，离实现自主可控，业内人士预测，至少还需要3-5年时间。

芯片生产过程中涉及到几十种设备，上百道工序。我们只捡重点的说。从三个环节来说一下，这三个环节分别是单晶硅片制造、前道工序、后道工序。

第一个环节，就是将砂子变成硅晶圆的过程，目前国内能制造300mm的晶圆，可以用于14nm，这里面其实也用到了美国进口设备，但我们先不管，就当可以完全独立自主好了。

重点是前道工序，这里就是将硅晶圆，变成加工后的裸芯片的过程，这里至少有扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化、测试，这8个重点步骤。

这里的设备就牵涉众多了，最难的是光刻机，国产仅90nm，还有离子注入、测试等环节的设备，国产在28nm，还有徐胶显影机等，还在60nm。

此外，这里还涉及到众多的材料，特气、光掩膜、光刻胶、光刻胶辅助材料、湿化学品、靶材、抛光液等，这里面光刻胶，国产仅能达到45nm，还有一些靶材是空白，需要进口。

而在后道工序，主要也就是封测，国内有三大厂商，排名全球前10名，分别是江苏长电、天水华天、通富微电，这三大厂商的封测技术达到了4nm，但用到的设备，很多也是进口的。

此外，还有制造芯片用到的EDA软件，控制晶圆厂自动化的软件，大多也是使用美国的，国产在先进工艺上，很多覆盖不到，甚至连全流程都覆盖不到，比如EDA只能覆盖全流程的70%左右，工艺大多在28nm、45nm、60nm这样的环节。

所以要搞定14nm工艺的全国产，按照业内人士的估计，至少要3-5年，甚至有可能3-5年都不够，还取决于国内厂商们的研发进度。

所以在当前，国内的芯片产业对美国的依赖还相当大，当真正实现了全自主的14nm时，才能稍硬气一点，现在还是低调一点吧，你觉得呢？