三星电子在西安的一个三期NAND闪存项目，进入了苹果智能手机NAND闪存供应链。此前，三星电子已是苹果公司最大的DRAM芯片供应商。
但是，提价10%很可能并非三星电子的主要诉求。从各种迹象看，三星将于年内开启其闪存大幅降价的大幕。从逆势增资扩产，到大幅降价，个中原因，不问可知。
全球智能手机内存市场第一季度的收入额为115亿美元，收入排名前三的企业分别为三星、SK海力士和美光。其中，三星和SK海力士均为韩国企业，两者的收入合计占市场7成，遥遥领先美光等来自其他国家的企业。
1、新增10台EUV光刻机
由于内存价格暴跌，美光、SK海力士两家内存厂商都已经大幅削减了投资，降低了产能，然而三星作为内存一哥不为所动，不仅不打算减产，甚至还在扩大投资，明年新增至少10台EUV光刻机，用于生产最新的12nm级内存芯片。
三星在韩国的内存工厂主要是位于平泽市的晶圆厂，其中P3晶圆厂目前的产能是每月2万片晶圆，三星已经计划扩大投资，增加内存生产设备，将产能提升到每月7万片晶圆。
在这些设备中，最重要的就是EUV光刻机了，三星从14nm级别的内存芯片开始引入EUV光刻机，EUV光刻机可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而可以减少生产时间、降低成本，并提高性能。
当然，上EUV工艺的代价也不是没有，EUV光刻机单价10亿元以上，产量也不如传统DUV光刻机，意味着初期成本会比较高。
按照三星的计划，2023年的P3晶圆厂将新增至少10台EUV光刻机，主要用于量产此前发布的12nm级DRAM内存芯片。
2、逆势增资：三星心路人知
受低迷的存储芯片市场影响，三星电子利润受到打击，但三星电子半导体投资扩产却没有停滞。
据英国市场追踪机构Omdia统计数据显示，截至2021年，三星在DRAM市场份额为42.7%，其次是SK海力士的28.6%和美光的22.8%；NAND闪存方面，截至2022年Q2，三星电子拥有33.9%的市场份额，位列全球第一；通过收购Intel NAND Flash闪存业务，SK海力士组建了新公司Solidigm，市场份额升至19.9％，紧随三星电子之后排名第二。
值得一提的是，三星电子在NADA闪存市场获得全球第一的市场地位，源自在2006-2009年一系列NADA闪存诡谲风云中三星的逆势增资扩张。
这是一次极为成功的逆势“加仓”之后的惊人逆袭。三星电子在行业低迷期扩大投资规模，最终击败当时市场份额领先于三星电子的对手，比如德国奇梦达、日本“国家队”尔必达和东芝。
这次成功经验，充分解释了三星电子再次遇到行业低迷期，为何仍敢于逆势增资扩产的信心迷局。
2022年，半导体行业进入下行周期，存储市场占据半导体约30%的比例，故受到较大行业下行影响：包括三星电子、美光和SK海力士在内的多家存储厂商均出现亏损。
因此，行业风格保守，一众巨头也开始收缩业务。比如美光计划将2023财年投资额，从2022财年的120亿美元，下调至70亿-75亿美元；同时，还将大幅减少2024财年的资本支出；SK海力士也在2022年10月宣布，2023年的设备投资预算幅度，将比2022年减少超过50%。
但是三星例外，其投资风格极为激进，这与美光和SK海力士因市场低迷而收缩业务规模的做法，显得格外与众不同。
公开消息显示，三星电子已决定，在2023年提升其存储器和晶圆厂10%的产能。这些产能也有部分来自中国的三星新投资项目。
三星电子西安三期项目总投资高达3000亿元人民币。目前，这个工厂的定位是三星电子NAND闪存半导体的生产基地，与前两期项目的产能合并后，将占据三星电子NAND全球总产能的40%。前两期项目已达产，每月生产12英寸晶圆量达25万张，年营收高达1000亿元人民币。
与台积电或英特尔均已做出的减产计划相比，三星电子同样属于逆势“加仓”。此举说明三星电子野心极大，既想称霸存储器市场，也想在晶圆代工领域反超台积电。
除了中国项目，三星电子将对在韩国京畿道平泽市第一工厂（P1）的NAND闪存设备做升级。
3、手中有粮，心中才能不慌。
三星敢于逆势大举增资，底气来自其拥有的规模庞大的现金储备。截至2022年9月底，三星持有约128.8万亿韩元（约合1010亿美元）现金，约是其竞争对手SK海力士或美光的10倍。
韩国政府也很给力。韩国在2023年1月3日宣布，计划将半导体和电池等战略技术资本支出的税收减免，从8%扩大到15%，接近翻倍。
除了想靠技术实力、产能规模压制对手，复制2006-2009年的那次成功逆袭，还有个重要原因，即三星电子已成功进入苹果NAND闪存供应链。此事得益于中国本土一家NAND闪存巨头遇到的众所周知的技术限制。
这家中国公司在遭遇技术约束后，三星电子成为了苹果公司在中国的NAND存储芯片替代供应商。三星电子位于西安的NAND闪存工厂将为苹果供应NAND闪存。目前，这个工厂的三期工程将于2月动工。
值得一提的是，不久前，三星电子官宣其闪存产品将提价10%，而部分中国公司已接受这一报价。
但是，据公开报道显示，三星电子可能会于2023年开启包括NAND闪存在内的大幅降价，以进一步提高在全球存储芯片市场的份额。
对NAND技术、产能和价格三者之间关系的理解，也能从另一个角度解释三星电子为何逆势增资的意图。
在NAND领域，NAND制造商做的激烈技术角逐，集中在增加垂直层数方面。SK海力士和美光都已推出200多层的NAND技术，但三星认为，“重要的不是层数，而是产能以及专注于提供具有价格竞争力的更优解决方案”。
说是这么说，但三星并没有放松NAND的技术迭代，其技术水平也极为高超。
目前，三星电子生产的第八代V-NAND高达230层；第9代V-NAND也已在研发过程中，预计2024年量产。2030年，三星将推出高达1000层的V-NAND产品。
鉴于DRAM的对于消费电子级的重要性，三星也在重兵布局这个方向。
为推进10nm范围以外的微缩，三星电子正在开发图案、材料和架构方面做持续突破。
2022年底，三星官方透露，其即将推出的DRAM解决方案包括32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM和36Gbps GDDR7 DRAM。三星还谈到了HBM-PIM、AXDIMM和CXL等定制DRAM解决方案。此外，三星计划到2030年实现亚纳米DRAM。
