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用14/28nm工艺做出7nm芯片的性能,是中国芯接下来要努力的方向
2023-02-02 来源: 互联网乱侃秀
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关键词: 光刻机 半导体 英特尔 TSMC

美国对中国的芯片制裁,近日又传出了新消息,那就是美国已经联合上了荷兰和日本,就限制向中国出口先进芯片制造设备达成协议。

中间会涉及到ASML、尼康、东京电子等企业的设备产品,主要是光刻机、半导体材料等等,特别是14nm及以下的设备、材料不准卖给中国厂商。

事实上,大家都清楚,美国的目标很直白,就是要锁死我们的芯片工艺在14/16nm,不让我们进入16/14nm以下先进逻辑制程,联合荷兰、日本的目的也是希望这个目标能顺利实现。

这样中国的芯片能力,就只能停留在成熟(落后)阶段,这样中国就得一直依赖美国的芯片,除了花巨资进口外,还要被美国卡脖子。

那么如何在当前这种困难局势下,进行突破?方向很简单,那就是国产供应链进行突破,比如实现EUV光刻机,实现其它半导体设备、半导体材料的量产,达到更先进的工艺,比如7nm、5nm等,这样封锁就不攻自破了。

但大家都清楚,这种突破不是短时间之内能够实现的,得集3年、5年、甚至10年之功才行,所以期待国产供应链短时间内替代,是不可能做到的。

那么接下来,中国芯的方向,则是利用现在已经拥有的14nm/28nm工艺,来实现7nm的性能, 甚至达到5nm、3nm这样的性能。

估计会有网友认为,这怎么可能?如果28nm/14nm能实现7nm的芯片,那还要7nm工艺做什么?

先别急着下结论,用28nm/14nm工艺,实现现有的7nm芯片的水平,并不是天方夜谈,有几种方式的。

比如用新的材料,比如碳化硅,碳基等之前已经有科学家验证过,如果用碳基芯片,40nm就能达到7nm的性能水平。

另外是在芯片的工艺、架构上下功夫,进行创新,此外还可以用小芯片(Chiplet)的技术,进行芯片堆叠等。

还可以从芯片的功耗、尺寸等方面出发,尽可能的压榨出当前我们掌握的14nm/28nm工艺的极限,就像intel打磨14nm工艺就好几年,还让intel的14nm芯片,也不输给AMD的7nm芯片,这是一样的道理。

当然,要实现这个不容易,但也不是没有可能的,你觉得呢?毕竟现在没有更好的路可走,我们只能基于现有的已经掌握的技术,来实现更大的可能性。



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