为了阻止中国发展芯片产业，美国可谓绞尽脑汁，这次更是拉上了日本和荷兰，意图通过在芯片设备方面着手，阻止中国发展芯片产业，然而就此此时中国却突然传出三条消息，这将打破美国在芯片行业的技术垄断，让美国的图谋破产。

美国拉拢日本和荷兰的目的是在芯片设备方面着手，荷兰的ASML无疑是光刻机的领军者，占有光刻机市场六成市场份额，而且全球市场最先进的EUV光刻机只有ASML能生产，至今ASML都未向中国交付EUV光刻机，这确实给中国发展先进工艺带来了阻碍。

日本则拥有尼康、佳能等两家光刻机企业，它们在光刻机市场占有近四成的市场份额；日本其实在芯片设备、芯片材料方面也有很强的影响力，几年前日本暂停向韩国的三星等供应光刻胶，就给韩国芯片造成了麻烦，后来韩国组织三星等多家芯片共同研发光刻胶，迅速摆脱了对日本芯片材料的依赖。

由此可以看出美国拉拢日本和荷兰不仅对中国发展先进工艺产生影响，甚至可能对当下中国正积极扩张的28纳米等成熟工艺也会产生影响，凸显出美国的图谋，那就是不仅阻止中国发展先进工艺，甚至还试图对成熟工艺施加影响。

面对美国的蛮横，中国迅速予以反击，中国基于当前的硅基材料已在大力发展国产产业链，近日就有两台国产光刻机进驻昆山一家芯片企业，南大光电也已研发出5纳米光刻胶，成熟工艺的诸多环节都在打通，而在先进芯片方面，中国则在多方面入手。

第一个是量子芯片，早前央视就探访了量子芯片生产线，证明中国筹建的量子芯片生产线技术已取得突破，第一条量子芯片生产线预计年内就能投产，量子芯片具有超低功耗、计算速度比硅基芯片快万倍的优势。

第二个是光子芯片，中科院早前就传出了3纳米光子芯片晶体管技术，而北京一家企业也在筹建全球第一条光子芯片生产线，证明中国在光子芯片方面也有突破。光子芯片和量子芯片都无需ASML的EUV光刻机，可以利用现有的设备，而且中国还在研发自己的光子芯片和量子芯片设备，确保芯片设备完全自研。

第三个是半导体材料，中国在半导体材料方面已取得长足进展，第二代半导体材料已开始进入实际应用，早前日媒拆解的中国一家科技企业的5G小基站就发现已开始采用砷化镓，第三代半导体材料氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO），中国的研发也不落后，甚至还有所领先，中国还在研发石墨烯技术，这些芯片材料的引入都可以大幅提升芯片性能，摆脱美国领导的硅基芯片技术限制。

可以说中国在多管齐下推进先进芯片技术，打破美国对中国芯片技术发展的限制，甚至这些芯片技术的实现最终将推动中国开辟芯片技术的新道路，甚至取得全球领先优势，终结美国在芯片技术方面的主导地位。

这突显出中国近几年来在芯片技术方面确实取得了长足的进展，甚至一些先进芯片技术已开始应用，中国芯片行业已有很大的技术提升，这也与中国近10年来大举投资研发分不开，中国的研发投入已居于全球第二，巨额的研发投入在各个行业都打下了基础，如今到了即将全面爆发的阶段，美国必然挡不住中国芯片前进的脚步。