前段时间,有媒体报道称,哈尔滨工业大学公布了一项“高速超精密激光干涉仪”研发成果,并获得了首届“金燧奖”中国光电仪器品牌榜金奖。
然后各种沸腾体的自媒体就开始写了,这是国产光刻机技术的大突破,通过这个技术,我们就能够实现7nm芯片的制造了等等,大家集体沸腾……
那么问题来了,这究竟是什么技术?真的能助我们的光刻机技术,从此进入7nm?
先看官方说明,介绍是这么写的,突破系列核心测量方法和工程化关键技术,解决了该领域存在的测不准、测不精、测不快的核心难题。
这套系统用于确保掩膜工作台、双工作台和物镜系统之间复杂的相对位置,实现光刻机的整体套刻精度,只字没提什么7nm、5nm,或者EUV光刻机等,不知道某些自媒体从哪里得出来的结论?拥有这个技术,就马上实现7nm了?
我们知道光刻机由三个核心部分组成,一个是光源,一个是物镜系统,一个是工作台。
拿目前上海微电子最强的国产光刻机来说,属于DUV光刻机,是第四代光刻机,使用的是193nm的紫外线,工作台使用的是华卓精科的双工作台。物镜系统我不清楚,也没查到相关资料,只听说是进口的。
而从当前这台193nm光刻机再升级的话,进入下一代光刻机,要进入的是第五代的ArFi浸润式光刻机,其与现在的光刻机相比,光源、工作台基本都一样,但最重要的就是物镜系统的改变。
浸润式光刻机,需要在硅晶圆上面再加一层水为介质,让193nm的光线通过水折射后,变成134nm波长的光,从而实现更高的分辨率。
而这个浸润式物镜系统涵盖了光学、机械、计算机、电子学等多个学科领域最前沿的技术。目前只有德国、日本有这整套技术,不过日本、德国都不对中国出口,而国产还暂时替代不了,这个是当前真正的难点。
如果搞不定物镜系统,那么我们就要被限制在当前这种193nm的干式光刻机上,而物镜系统突破了,就能进入浸润式光刻机,就能够实现7nm的光刻精度了。
而哈工大的这项技术,是用于掩膜板、物镜系统、工作台之间的位置对应控制的,用控制光线刻录芯片的精度的,属于关键技术之一,可以用于所有的光刻机,包括EUV光刻机,而不是有了它,我们就可以突破浸润式的物镜系统的,更不是单纯为国产光刻机的突破而突破的。
所以少听某些自媒体扯淡,自己都没搞清楚原理,然后就制造各种沸腾体文章,让大家莫名其妙的沸腾,实事求是才是正道。