众所周知，目前用于芯片制造的前道光刻机，从最开始的G线光刻机，发展到现在的EUV，已经有了6代，EUV就是第6代。

而在这之前有5代，分别对应不同的工艺。其中DUV光刻机中又包含了三代，分别是KrF、ArF、ArFi三种。

如下图的所示，这是6代光刻机，其光源波长，以及支持的最小芯片制造情况。

目前国内能够制造的是ArF光刻机，也称之为干式光刻机，采用193nm波长的光源，最高可以用于65nm的芯片制造。

而ArFi光刻机，也称之为浸润式光刻机，采用水为介质，193nm波长的光源，经过一层水后，等效为134nm波长的光源，可以用于7nm的芯片制造。

目前能够生产EUV光刻机的厂商就一家，那就是ASML。而能够生产ArFi光刻机的厂商，全球就两家，一家是ASML，一家是尼康。

目前ASML在售的浸没式光刻机主要有三大型号：NXT:2050i、NXT:2000i 和NXT:1980Di。

而ASML前段时间有公告称，NXT:2000i及之后的浸没式光刻系统将会受到出口限制。这也意味着，NXT:1980Di 仍将可以出口。

NXT:1980Di的分辨率在38nm左右，每小时的生产晶圆数量为275wph。

那么这台光刻机，能支撑到什么工艺制程，就是38nm了么？其实并不是的，38nm是指一重曝光。而通过多重曝光，依然可以支持到7nm左右。

按照媒体的报道称，台积电的第一代7nm工艺就是基于 NXT:1980Di 实现的，后来才升级为EUV 7nm工艺。

只不过多重曝光后，步骤更为复杂，成本更高，良率可能也会有损失，但实现7nm是没有问题的。

不过大家要注意的是，芯片制造涉及到几十上百种材料，几百种设备，几千道工序，还有各种技术、软件等等。

光刻机只是其中关键之一，拥有EUV光刻机，或者说拥有支持7nm工艺的光刻机，并不代表就能够实现7nm工艺，还需要各种设备、技术、软件、材料都达到7nm才行，任何环节缺一不可。

所以就算拥有能生产7nm工艺芯片的光刻机，我们也未必能够制造出7nm芯片，这个大家要清楚，别具盯着光刻机一项。