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三星第二代3nm芯片又来了,已领先台积电2代?
2023-05-12 来源:只谈数码科技
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关键词: 芯片 台积电 晶体管

众所周知,去年6月份的最后两天,三星发布了自己的3nm工艺,并且采用了当前最先进的GAA晶体管技术,算是实现了自己2022年上半年量产的承诺,也提前台积电半年量产,领先了一回。


不过虽然3nm芯片是量产了,但坦白说,却量产了个寂寞,因为没有看到任何一颗量产的3nm芯片推出来,也没有任何一颗3nm与4nm或5nm芯片的比较测试。



不过三星也表示过,3nm芯片性能比5nm提高23%,芯片尺寸缩小16%,同时由于采用了GAA晶体管技术,所以栅极电压降低了,漏电流减少了,功耗低了。


但让人没有想到的是,在经过了这么快一年之后,三星的第一代3nm工艺都还没整明白,究竟谁用了,有没有客户,订单多少都不清楚的情况下,近日又推出了第二代工艺。



这次第二代工艺又有重大突破,这是不再是原先的GAA晶体管技术了,而是采用了更为先进的MBCFET晶体管技术(也属于GAA"Gate-all-around"环绕栅极的一种),在第一代的GAA上又进一步优化了。


这次三星比较的不再是5nm芯片了,而是4nm芯片了,三星称第二代3nm工艺性能将比目前的4nm制程(SF4)快22%,能效可提高34%,芯片尺寸也将缩减21%。


要知道台积电的3nm技术,一直采用的是FinFET晶体管技术,意思就是三星的这一代3nm工艺,可以说已经是领先了台积电两代?



三星称,第二代3nm制程将在2024年与台积电的先进制程技术上展开竞争,意思就是这种技术,目前还只是亮个相,暂时不会大规模量产,真正要大规模量产,可能要到2024年去了。


事实上,三星发布了第一代3nm工艺后,外界就质疑三星的3nm工艺究竟行不行,因为媒体一直报道称,三星的工艺良率不行,从5nm开始就非常低了,而3nm工艺可能只有20-30%。



这种良率下,IC厂都不敢找三星下单,之前高通在4nm时转单台积电就是一个最好的例子,所以三星的3nm,也没有客户,所以我们也没看到谁推出了采用三星3nm工艺的芯片。


但如今三星再推第二代工艺,不知道这次在良率上有没有改善,如果用这种良率与台积电竞争,那还是比较困难的。



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