众所周知，去年6月份的最后两天，三星发布了自己的3nm工艺，并且采用了当前最先进的GAA晶体管技术，算是实现了自己2022年上半年量产的承诺，也提前台积电半年量产，领先了一回。

不过虽然3nm芯片是量产了，但坦白说，却量产了个寂寞，因为没有看到任何一颗量产的3nm芯片推出来，也没有任何一颗3nm与4nm或5nm芯片的比较测试。

不过三星也表示过，3nm芯片性能比5nm提高23%，芯片尺寸缩小16%，同时由于采用了GAA晶体管技术，所以栅极电压降低了，漏电流减少了，功耗低了。

但让人没有想到的是，在经过了这么快一年之后，三星的第一代3nm工艺都还没整明白，究竟谁用了，有没有客户，订单多少都不清楚的情况下，近日又推出了第二代工艺。

这次第二代工艺又有重大突破，这是不再是原先的GAA晶体管技术了，而是采用了更为先进的MBCFET晶体管技术（也属于GAA"Gate-all-around"环绕栅极的一种），在第一代的GAA上又进一步优化了。

这次三星比较的不再是5nm芯片了，而是4nm芯片了，三星称第二代3nm工艺性能将比目前的4nm制程（SF4）快22%，能效可提高34%，芯片尺寸也将缩减21%。

要知道台积电的3nm技术，一直采用的是FinFET晶体管技术，意思就是三星的这一代3nm工艺，可以说已经是领先了台积电两代？

三星称，第二代3nm制程将在2024年与台积电的先进制程技术上展开竞争，意思就是这种技术，目前还只是亮个相，暂时不会大规模量产，真正要大规模量产，可能要到2024年去了。

事实上，三星发布了第一代3nm工艺后，外界就质疑三星的3nm工艺究竟行不行，因为媒体一直报道称，三星的工艺良率不行，从5nm开始就非常低了，而3nm工艺可能只有20-30%。

这种良率下，IC厂都不敢找三星下单，之前高通在4nm时转单台积电就是一个最好的例子，所以三星的3nm，也没有客户，所以我们也没看到谁推出了采用三星3nm工艺的芯片。

但如今三星再推第二代工艺，不知道这次在良率上有没有改善，如果用这种良率与台积电竞争，那还是比较困难的。