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赛微电子拟投资10亿建设6-8英寸GaN芯片晶圆制造项目
2021-04-06 来源:赛微电子资本邦
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赛微电子发布公告,与青州市人民政府签署了《合作协议》,共同推进6-8英寸GaN芯片晶圆制造项目的建设,将在租赁现成土地厂房的基础上进行适应性补充建设,且已经锁定成套热线设备、目标是在2021年内建成并做好投产准备,有利于公司进一步完善GaN业务的全产业链IDM(垂直整合制造)布局。

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  赛微电子表示拟在青州经济开发区发起投资10亿元分期建设聚能国际6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目,总占地面积30亩,一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5,000片/月的生产能力,二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12,000片/月的生产能力。



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