618大促已经结束，让业界高兴的是国产芯片获得了国内消费者的认可，而且这是消费者用真金白银表达了对国产芯片的喜爱，国产SSD固态硬盘和内存条都取得了热销榜第一名。

国产存储芯片纷纷以国产芯片的理念向消费者证明了国产芯片的巨大突破，NAND flash存储芯片率先量产全球最先进的232层技术产品，DRAM实现了接近10纳米工艺的技术水平，达到了全球领先水平。

在技术上的巨大突破之外，则是国产芯片以实惠的价格争取消费者的支持，国产SSD固态硬盘价格大举下跌，4TB已跌穿1000元，对比起数年前256GB就超过千元，可谓白菜价，让国内消费者享受到了技术突破带来的实惠。

DRAM内存的价格也在猛烈下跌，光威32GB内存条价格只要349元，对比起数年前这样的内存条价格可是高达2000多元。在光威的猛烈攻势下，曾经的内存条王者金士顿跌下了神坛，昂贵的价格让这些外资品牌内存条被消费者抛弃。

消费市场是一个最为公开的市场，消费者选择哪种产品，往往会从技术、价格等多方面因素考虑之后选择产品，而国产存储芯片赢得了消费者的热爱，就证明国产存储芯片在技术上确实达到了世界主流乃至先进水平，而在价格方面也非常讨喜。

打破三星制霸权，国产技术弯道超车

三星制霸全球有一个知名“杀手锏”——“逆周期调节大法”：即价格下跌增产，市场萎缩降价，加剧行业亏损，迫使竞争对手破产。

击倒日本最后一家存储芯片大厂尔必达后，如今三星、海力士、美国美光三家企业垄断全球85%以上市场份额。市占率高的厂商掌握着定价权，他们能通过增产、减产左右存储芯片的价格，每次三星放出工厂着火影响产量的消息，国内存储产品价格就会大幅飙升。

中国厂商努力6年，终于在2022年把存储芯片产能提了上来，三大厂商的定价权被打破。中国制造将芯片迅速打至白菜价，三星承受不住业绩亏损，逆周期扩张策略就此暂停。

中国厂商之所以能拥有和巨头叫板的底气，得益于技术的突破。

在芯片领域，国外巨头依靠先进的制程工艺每隔1-2年便会更新一代产品，产品性能随之提升。2020年美国迫使荷兰政府禁止向我国出口最先进的光刻机后，国内短期无法复制该路径。

但存储芯片的技术迭代特点，给了中国弯道超车的机会。存储芯片在突破20nm制程工艺后，可靠性会断崖式下跌，所以通过先进制程工艺来提升性能这条路是走不通了。

不能靠制程工艺从平面上缩小晶体管扩容，厂家便换了个方法：在垂直方向上叠加，像搭积木一样堆叠起来，这种方法也被称为3D堆叠技术，堆叠层数越高，存储密度越高，性能越强。

所以即使买不到最先进的光刻机，也能通过3D堆叠技术实现性能的追赶。

存储芯片中，这套技术应用最广泛的是闪存，2022年长江存储已经用独家的3D堆叠技术Xtacking，先于三星、美光量产了最先进的232层闪存。与行业普遍将读写单元和存储单元设计在一颗晶圆上不同，Xtacking技术将两者分别设计在两颗独立晶圆上再拼起来，这样做可以让两者同时设计流片，大大缩短研发生产周期，这才实现了技术反超。

国产存储芯片企业崭露头角

虽然国际存储芯片巨头具有先发优势，但近年来，国内存储芯片制造商也取得了不断的突破，并逐步缩小与国外大厂的差距。一些龙头企业如长鑫存储、北京君正、兆易创新、长江存储等崭露头角。


1、长鑫存储：国内DRAM头部企业

长鑫存储成立于2016年，是国DRAM领域头部企业，同时也是中国大陆首家DRAM IDM厂商，集设计、研发、生产和销售于一体。据悉，今年以来长鑫存储计划在科创板IPO，估值不低于1000亿元人民币。目前公司还在正在挑选承销商，IPO融资规模尚未最终确定。

2018年，长鑫成功研发出中国首个国产8Gb DDR4内存。2019年长鑫存储成功实现国产19nm的DDR4、LPDDR4存储芯片量产，成为全球第四家掌握20nm以下的DRAM生产制造商。2020年长鑫存储同美国一家半导体企业签订了协议，拿下了海量专利授权。2021年，长鑫存储采用主流内存芯片工艺为19nm，并于2022年完成了17nm DDR5内存的试产。如今，长鑫存储已成为中国大陆规模最大且唯一能够制造DDR4/LPDDR4存储芯片的厂商。


2、北京君正：全球车用 DRAM 龙头

北京君正成立于2005年，2011年在深圳创业板上市。专注于集成电路设计、开发和产业化，其主要领域包括处理器芯片和平台式解决方案的研发。作为少数几家成功市场化嵌入式CPU核心技术的本土企业之一，君正在集成电路领域掌握着重要的地位。

尤其是车用DRAM芯片领域。2020年，君正完成了对美国ISSI及其下属子品牌Lumissil的收购。ISSI致力于为汽车、工业和医疗等领域提供高品质、高可靠性的存储器产品，包括SRAM、DRAM、Nor Flash、2D NAND Flash和eMMC等。ISSI的客户遍布全球。

君正整合了自身积累了十几年的技术，以及ISSI三十余年的存储、模拟和互联技术，形成了三大品牌：Ingenic（微处理器和智能视频芯片）、ISSI（存储芯片）和Lumissil（模拟与互联芯片）。使君正一跃成为车载存储领域的领军厂商，其车用存储份额达到15%，仅次于美光，在全球市场上具备了强大的竞争力。


3、兆易创新：全球第一Fabless Flash供应商

兆易创新成立于2005年4月，2016年在上海交易所成功上市。其核心产品线包括存储器（Flash和利基型DRAM）、32位通用型MCU、智能人机交互传感器、模拟产品及整体解决方案。发展至今，兆易创新已成为全球排名第一的Fabless无晶圆厂Flash供应商。在NOR Flash领域，兆易创新市场占有率全球排名第三，中国市场位居第一，累计出货量近212亿颗。

2013年，兆易创新推出了业界第一颗SPI NAND Flash，并在多年的发展中实现了对消费电子、工业、汽车电子等领域的全品类产品覆盖。此外，兆易创新也是率先研发并成功推出SPI NOR Flash的公司之一。作为全球顶尖的NOR Flash供应商，兆易创新始终保持着技术和市场的领先地位。有着丰富的产品线，涵盖了7款温度规格、16种产品容量、27大产品系列以及29种封装方式，能够满足不同市场应用对高性能、低功耗、高可靠性、小封装等需求。


4、长江存储：全球首个量产超200层3D NAND厂商

长江存储成立于2016年，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。3D NAND是一种创新的闪存技术，通过将存储单元垂直堆叠起来，解决了传统2D NAND闪存的限制。相比于平面结构的2D NAND，3D NAND具有更高的存储密度和容量，同时还改善了性能和耐用性。这使得它成为现代电子设备中广泛应用的存储解决方案。

长江存储在NAND技术发展路线上，仅用了短短3年时间就实现了从32层到64层再到128层的突破，直接跳过了96层堆栈闪存的研发。其自主创新的晶栈Xtacking架构技术为3D NAND带来了更快的数据传输速度和更高的存储密度，提高了研发效率并缩短了生产周期。2022年，长江存储发布了基于晶栈3.0架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片，命名为X3-9070，层数高达232层。这使得长江存储成为全球首个量产超过200层的3D NAND芯片制造商。尽管最初计划生产232层闪存的是美光科技、三星和东芝等国际巨头，但长江存储仍成功反压。

今年4月，长江存储获得了大基金二期的增资，其注册资本从562.7亿元人民币增加至约1052.7亿元，新增了近500亿元的资金。长江存储二期项目也已启动，规划的产能将达到每月30万片，进一步缩小了与国际存储巨头之间的差距。市场调研机构Counterpoint预测，到2023年，长江存储有望在全球存储市场占据约6%的份额。

全球存储芯片竞争态势

自2021年以来，受消费电子市场需求疲软等因素的影响，存储芯片需求增长有所放缓。据中商产业研究院的数据显示，2022年全球存储芯片市场规模超过1500亿美元，较2021年略有增长。随着海外大厂相继减产以及市场需求逐步恢复，行业预计将迎来回暖。据预测，到2023年，全球存储芯片市场规模将达到1658亿美元。

2022年DRAM市场规模达到790.61亿美元，占据56.8%的市场份额。NAND Flash市场规模为601.26亿美元，占据43.2%的市场份额。在存储器产品中，DRAM是最大的产品类别。三星、SK海力士和美光是主要的DRAM供应商。根据2021年的数据，三星占据了市场份额的43%，SK海力士占据了28%，美光占据了23%。在NAND Flash领域，市场集中度较高。2021年，前六大NAND Flash供应商合计占据了超过95%的市场份额。三星、铠侠和西部数据是其中最主要的供应商，分别占据了市场份额的34%、19%和14%。

国内市场，随着我国在电子制造领域水平的提升，国内对存储芯片产品的需求不断增长。根据世界半导体贸易统计协会的数据预测，预计到2023年，国内存储芯片市场规模将达到6492亿元。然而，目前国内的存储芯片自给率仅为15.70%，存在较大的提升空间。从2016年到2021年，我国存储芯片市场规模从1514亿元增长至3383亿元，平均年复合增长率约为20.57%。