随着美国对中国半导体行业制裁的步步收紧，越来越多的实体被加入“黑名单”，包括在闪存存储领域搅动了整个行业的长江存储。

长江存储董事长陈南翔在最新的一次演讲中指出，过去50年半导体产业蓬勃发展，全球化合作功不可没，原本预计2030年能达到1万亿美元规模，现在看很难说了。

陈南翔个人非常赞同台积电创始人张忠谋“全球化已死”的说法，但也不反对“再全球化”的观点，并提出，企业在进行中长期发展规划时，是否具备足够的系统性、一致性、持续性，是衡量“在全球化”是否能达成的重要指标。

陈南翔指出，全球化市场对促进产业发展很重要，比如DRAM内存、NAND闪存、RISC架构、无线通信技术等等，这些发明和创新不属于任何一个企业或国家，而是企业或国家对全球产业链价值的贡献。

目前，全球化供应链的直接参与者有25个国家，间接参与的有23个国家，相当接近50个国家参与全球化体系，形成“我中有你，你中有我”。

在演讲的最后，他还呼吁：“请建设诚信和公平原则。假设长江存储依法合规买的设备拿不到或是无法使用，可以设一个时间内，把设备在新的条件下回购，这样才公平。”

还有消息称，ASML旗下所有的DUV光刻机，出口都要被经过认可才可以。

对于这样的说法，也是引起了热议，不过ASML给出了回应。

ASML表示，出口管制条例只涉及部分最新DUV型号，包括TWINSCAN NXT：2000i及后续推出的浸润式光刻系统。EUV光刻机在此前已经受到限制，其他系统的发运未受管控。

此外，ASML还表示，上述规定是在9月1日才生效，而他们已经提交了许可申请。

所以，在上述时间之前发货的DUV光刻机或不受影响，此前业内猜测的TWINSCAN NXT:1980Di也不受影响。

稍早些时候，比利时微电子研究中心 (IMEC) 、阿斯麦 (ASML) 共同宣布，双方将在开发先进高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻试验线的下一阶段加强合作。

按照ASML的说法，2025年开始，客户就能从数值孔径为0.33传统EUV多重图案化，切换到数值孔径为0.55 High-NA EUV单一图案化，降低制程成本，提高产量。

Fouquet表示，EUV光源输出功率一直稳步增加，ASML传统型号EUV光源输出功率为250W~300W，最新型号3600D增加到350W，现在研究层面已做到600W，800W指日可待。

到2030年，使用High NA EUV的多重图案将与单一图案一起完成，以提高产量，并降低制程成本，需要更高数值孔径的EUV曝光（NA=0.75）。

DUV、ArF、EUV和High-NA EUV技术形成图案的每个晶体管成本都不断变化，考量到新技术价格一定高于EUV每套3亿美元，High-NA EUV价格将非常可观，但仍取决于客户要求和开发成本。

在这之前，光刻机大厂ASML高管对外表示，半导体业只有通力合作，建立完全自主的产业链，即使并非不可能也会极其困难。