荷兰半导体设备制造商ASML和比利时纳米电子科技研究中心IMEC已宣布，将共同推进高数值孔径极紫外线（high-NA EUV）光刻技术试验线的研发，以应对未来半导体制造的挑战。

ASML是全球最大的半导体设备制造商，专注于提供先进的光刻设备和相关硬件、软件服务。而IMEC则是全球最大的独立纳米电子研究机构，负责开发下一代的半导体制程技术。

High-NA EUV光刻技术是ASML和IMEC所看重的下一代半导体制程关键技术。NA（Numerical Aperture）是光学系统接收光的能力的度量，NA值越高，系统对光的分辨率越高，也就意味着可以刻画出更小的特征尺寸。目前，EUV光刻已经在5纳米和3纳米节点上得到应用，但要在更小的节点上实现大规模商业化生产，就需要进一步提升NA值，也就需要high-NA EUV光刻技术的支持。

ASML和IMEC将在IMEC的总部设立high-NA EUV光刻试验线，进行相关的研发和测试工作。目前，双方已经开始进行设备安装和调试工作，预计2023年可以开始进行新设备的性能验证和新工艺的开发工作。

ASML和IMEC表示，通过共同推进high-NA EUV光刻技术的研发，可以更好地为全球半导体产业的进步做出贡献。随着5G、AI、自动驾驶等领域的快速发展，对半导体设备的需求越来越大，同时，对设备性能的要求也越来越高。因此，通过提升光刻技术的性能，可以帮助半导体制造商实现更高效、更精细、更低成本的生产。

然而，high-NA EUV光刻技术的研发并非易事，需要解决包括光源、光学系统、光刻胶、掩模等多个技术难题。在这个过程中，ASML和IMEC的合作将发挥关键作用。通过共享资源、技术和经验，双方可以共同面对挑战，加快技术的研发进程。

总的来说，ASML和IMEC的合作标志着半导体行业对于高级光刻技术研发的重视，也预示着未来高性能半导体设备的生产可能会有更大的突破。不仅如此，这也可能推动整个半导体产业链的升级，包括设备制造商、材料供应商、芯片设计商等多个环节。