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国产碳化硅进击8英寸,竞争将更加激烈且复杂
2023-07-10 来源: Ai芯天下
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关键词: 半导体 英飞凌 意法半导体

8英寸是国产设备商的机遇期


今年来,国际功率半导体巨头已经频频联手国产碳化硅衬底、材料等环节企业,加速发展8英寸碳化硅。


这背后,一方面是国际龙头对国产碳化硅衬底厂商技术进步的认可,另一方面也是看中中国新能源市场机遇,寻求本地化供应。


据相关人士表示,意法半导体和三安光电在重庆建厂,正是瞄准中国的汽车市场,重庆拥有长安等车企,方便就近供应客户。


根据Yole预测,2021~2027年全球碳化硅功率器件市场规模有望从10.9亿美元增长到62.97亿美元,保持年均34%的复合增速。


其中,车规级市场是碳化硅最主要的应用场景,有望从2021年6.85亿美元增长至2027年49.86亿美元。


在新能源产业强劲需求下,全球碳化硅产业步入高速成长期,碳化硅衬底仍处于供不应求状态。


目前碳化硅衬底在功率元器件中成本占比接近50%,所以国际巨头布局碳化硅产业都在抢占8英寸先机,甚至将量产时点提前至今年。


现在6英寸向8英寸扩径的行业趋势明确,如果我们国内设备厂商仍大幅提升6英寸衬底设备产能将面临“投产即落后”的问题。


所以设备厂商在本阶段应该重点突破和布局8英寸衬底设备产能,才能实现弯道超车。



碳化硅市场竞争格局


目前而言,在碳化硅衬底市场主要分为三大梯队,行业高度集中。


据智研咨询统计,美国Wolfspeeed公司占据全球60%以上的市场份额,2015年推出8英寸碳化硅衬底,位列市场第一梯队;


其他海外领军厂商如罗姆、II-VI、意法半导体等也相继开展衬底材料业务,到2021年已具备8英寸衬底的生产能力,海外领军厂商和我国衬底行业龙头企业加快产品研发,产品在国际上的市占率也在持续提升,处于第二梯队;


国内企业起步较晚,研发进度相比国外企业较慢,中小型衬底材料生产商技术处于借鉴和完善阶段,属于第三梯队。




国内多家厂商正在破局8英寸


据不完全统计,国内有十余家企业与机构正在积极研发,包含烁科晶体、晶盛机电、天岳先进、南砂晶圆、同光股份、天科合达、科友半导体、乾晶半导体、中科院物理所、山东大学等。


赛微电子、三安光电、露笑科技等也有相关产能在投建中。


今年5月,天岳先进、天科合达签约英飞凌,供货碳化硅6英寸衬底、合作制备8英寸衬底。


6月,三安光电与意法半导体结盟升级,斥资32亿美元共建8英寸碳化硅外延、芯片合资代工厂,并计划通过三安光电全资子公司,投入70亿元建设年产48万片/年的8英寸碳化硅衬底。



中电化合物也宣布与韩国Power Master签订了长期供应8英寸在内的碳化硅材料的协议,公司预计未来3年碳化硅产能将达到8万片。


6月27日,晶盛机电宣布,已成功研发出8英寸碳化硅外延设备。在子公司晶瑞的8英寸衬底基础上,已实现8英寸单片式碳化硅外延生长设备的自主研发与调试,外延的厚度均匀性1.5%以内、掺杂均匀性4%以内。




国外布局8英寸情况


Wolfspeed在2022年4月启用了全球第一家8英寸碳化硅晶圆厂、2023年2月宣布计划在德国萨尔州再建8英寸碳化硅工厂,新工厂预计可于2023年上半年启动。


Coherent在2022年3月宣布将在美国伊斯顿大规模建设近30万平方英尺的工厂,以扩大6英寸和8英寸SiC衬底和外延晶片的生产。


罗姆于2009年收购德国SiC衬底和外延片供应商SiCrystal、在2015年展示了8英寸SiC衬底。在PowerUP Expo 2022上表示将于2023年开始量产8英寸SiC衬底产品。


英飞凌计划在2023年左右开始量产8英寸衬底,2025年实现8英寸碳化硅器件的量产。


Soitec在2022年5月发布了首款8英寸碳化硅SmartSiC晶圆。在2022年3月启动新晶圆厂建设计划,用于6英寸、8英寸SmartSiC晶圆制造,预计2023年下半年建成投产。


意法半导体目前正积极推进碳化硅晶圆产线从6英寸向8英寸转型,预计2023年8英寸碳化硅晶圆即将量产。


实际上现在仅有Wolfspeed实现8英寸碳化硅量产,而大多数国际企业则将8英寸碳化硅衬底的量产节点定在2023年左右。




国内8英寸SiC晶圆量产难点


高温工艺关乎着SiC的良率,这也是各大SiC厂商所着力研发的关键环节之一。


而除了与硅晶圆在生产工艺上有所差异以外,在SiC从6英寸向8英寸发展的过程中也存在着一些差异。


在功率半导体制造的离子注入、薄膜沉积、介质刻蚀、金属化等环节,8英寸碳化硅与6英寸SiC的差距不大。


8英寸SiC的制造难点主要集中在衬底生长、衬底切割加工、氧化工艺。


其中,衬底生长方面,扩径到8英寸,对衬底生长的难度会成倍增加;衬底切割加工方面,越大尺寸的衬底切割应力、翘曲的问题越显著。


氧化工艺一直是碳化硅工艺中的核心难点,8英寸、6英寸对气流和温场的控制有不同需求,工艺需各自独立开发。


目前碳化硅产业以6英寸为主流,占据近80%市场份额,8英寸则不到1%。


若达到成熟阶段,8英寸单片的售价约为6英寸的1.5倍,且8英寸能够生产的晶粒数约为6英寸SiC晶圆的1.8倍,晶圆利用率会显著提高。


6英寸SiC衬底国内的良率大概有40%,海外大概60~70%,在8英寸方面实际进展并不如预期。




结尾:


可以看到,国际企业大多将8英寸碳化硅衬底的量产节点定在2023年左右,但中国企业也步步紧追,目前国内企业宣布将在2023年实现8英寸碳化硅衬底的小批量量产。


当然,“小批量量产”与“量产”是不同的,二者在良率、成本上有着本质的差别。


今年中国衬底材料行业竞争格局竞争将更加激烈且更加复杂,所以研发能力强、生产设备尖端,优质企业实力逐渐提升等将是未来竞争的关键因素。



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