意法半导体（STMicroelectronics；ST）之新款STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET拥有极低的闸极－漏极电荷（QGD）和导通电阻RDS（on），品质因数（Figure of Merit；FoM）相较上一代同类产品提升40%。

新推出的MOSFET利用ST的STPOWER Strife F8先进技术，导入氧化物填充沟槽制程，包含极低的导通损耗和低闸极电荷于一身，提供高效的开关效能。因此，当STL120N10F8的最大导通电阻RDS（on）为 4.6mΩ（在 VGS = 10V时），最高运行频率可达到600kHz。

STripFET F8技术亦确保输出电容值减少漏极和源极间的尖峰电压，并最大程度减少充放电的能量浪费。此外，此款MOSFET之本体二极体的柔和切换特性更高。这些进化之处可以减少电磁辐射，简化最终系统的合规性测试，并确保电磁相容性（Electromagnetic Compatibility；EMC）符合适用的产品标准。

STL120N10F8拥有卓越的效能和较低的电磁辐射，可以强化硬开关和软开关拓扑的电源转换性能。此外，这款产品亦是首款完全符合工业级规格的STPOWER 100V STripFET F8 MOSFET，适用于马达控制、电信和电脑系统的电源及转换器、LED和低压照明，以及消费性电器和电池供电装置。

新款MOSFET还有其他优势，其中包括低的闸极阈值电压（VGS（th））差，此优势在强电流应用中很有帮助，还可以简化多个功率开关在大电流应用的并联设计。新产品的稳定性非常高，能够承受10µs的800A短路脉衝电流衝击。STL120N10F8採用PowerFLAT5x6封装，现已全面量产。