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国内衬底厂商正在加速布局
2023-07-17 来源:Ai芯天下
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关键词: 英飞凌 意法半导体 碳化硅


中国碳化硅市场迎来大变局


我国SiC企业在不断发展中逐渐打入国际供应链,国内碳化硅市场发展亦持续火热。


英飞凌与天科合达、天岳先进宣布“牵手”合作,两家国内厂商将为英飞凌供应6英寸SiC材料。


三安光电和意法半导体共同宣布,将斥资50亿美元在重庆建立一座8英寸SiC衬底厂,据意法半导体的估算,到2030年该厂将帮助意法半导体实现50亿美元的SiC营收。


中电化合物也宣布与韩国Power Master签订了长期供应8英寸在内的碳化硅材料的协议,公司预计未来3年碳化硅产能将达到8万片。


此外,天岳先进近日公布了其8英寸碳化硅衬底最新技术、晶盛机电表示已成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备、合盛硅业披露其8英寸碳化硅衬底已经实现了量产、广东芯粤能半导体表示今年年底前完成月产一万片6英寸碳化硅晶圆芯片的产能建设。



产业链中技术壁垒最高的环节


SiC衬底的核心作用是无可替代的,碳化硅衬底分为两种,一种是半绝缘型碳化硅衬底在射频器件上的应用,一种是导电型碳化硅器件。


根据Yole报告,半绝缘型碳化硅衬底依据通信基础建设和军事应用的需求发展,全球碳化硅基氮化镓射频器件市场规模持续增长,预计从2020年的3.42亿美元增长到2026年的22.22亿美元,期间年均复合增长率达到17%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此获益而持续增长。



导电型碳化硅器件具备高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,主要应用领域有电动车、充电桩、光伏新能源、轨道交通和智能电网等。


根据Yole报告,2021年碳化硅功率器件的市场规模为11亿美元,受益于电动汽车、充电桩、光伏新能源等市场需求驱动,预计2027年将增长至63亿美元,复合增长率34%。



目前国内厂商产能规划


天科合达产线规格为6英寸,工厂位置北京和徐州。徐州工厂二期规划年产 16 万片碳化硅衬底及三期100万片外延片;预计2025年底,公司6英寸有效产能达55万片/年。


天岳先进产线规格为6英寸,工厂位置在上海临港工厂。计划 2026 年全面达产,达产产能 30 万片/年。


同光晶体产线规格为4/6英寸,工厂位置在河北涞源。2022年碳化硅衬底产能约为10万片/年,并规划建2000台碳化硅晶体基地和年产60万片衬底加工基地,预计2025年末达产。


烁科晶体产线规格为4/6/8 英寸,工厂位置在山西,目前规划 2025 年实现产能 30 万片。


东尼电子产线规格为6英寸,工厂位置位于浙江湖州东尼产业园二期厂房。2021 年度非公开发行募投项目“年产 12 万片碳化硅半导体材料”预计于 2023 年 11 月达产。



合盛新材产线规格为6/8 英寸,工厂位置在浙江省慈溪市。目前2 万片衬底及外延片产业化生产线项目已通过验收,6英寸晶体良率达到 90%,外延片良率达到 95%,已得到国内多家下游器件客户的验证,并顺利开发了日韩、欧美客户。同时合盛新材 8 英寸衬底研发顺利,已经实现了量产。


三安半导体产线规格为6英寸,工厂位于湖南。目前湖南三安半导体产业园二期在建设中,预计于 2023 年年底建设完毕,产能达36万片/年。


南砂晶圆产线规格为6英寸,工厂位置位于广东。目前达产后年产衬底和外延片共20万片。


中电化合物产线规格为6英寸,工厂位置位于浙江。目前2022 年产能达2万片/年,未来3年有望达8万片/年。


科友半导体产线规格为6英寸,工厂位置位于黑龙江。目前达产后产能达10万片/年。


世纪金光产线规格为6英寸,工厂位置位于合肥。目前达产后产能达3万片/年。


晶盛机电产线规格为6英寸,工厂位置位于宁夏。总投资50亿元,主要生产6英寸及以上导电型和半绝缘型碳化硅衬底,达产可实现6英寸碳化硅晶片40万片/年。



融资壁垒不高但导入窗口期有限


据第三代半导体联盟的调研,国内碳化硅功率半导体产业年产值还很小,约100亿元人民币,但是增长很快,增速接近50%。主要应用领域是新能源汽车占65%,其他还有光伏、储能、消费类。工业、商业的应用未来几年也可能会大幅扩展。


据统计,今年以来碳化硅领域已发生超15起融资事件,2023年5月以来,先后有粤海金半导体、希科半导体、瀚薪科技、长飞先进等完成融资。其中,粤海金半导体和希科半导体完成Pre-A轮融资,瀚薪科技完成超5亿元B轮融资。


近日,安徽长飞先进半导体有限公司宣布完成超38亿元A轮股权融资,本轮融资规模创国内第三代半导体私募股权融资规模历史之最,并刷新2023年以来半导体私募股权融资市场单笔最大融资规模纪录。


数据显示,中国碳化硅半导体产业2022年吸金超过2400亿元,其中,衬底和芯片环节成为投资强度最大领域。去年碳化硅产业已披露的扩产投资金额达到1272.63亿元(不含光电),较2021年增长了36.7%。


但同时需要注意,尽管目前碳化硅衬底市场供不应求,但是由于供应链的验证周期也较长,故产业导入窗口期也是有限的。


结尾:


在双碳政策以及各种需求的推动下,以碳化硅为主的第三代半导体必然会成为绿色时代的宠儿,相信在不久的未来,不止碳化硅衬底厂商,下游的第三代半导体功率器件厂商也将会迎来新一轮的“捞金浪潮”。



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