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半导体市场虽不景气,三星电子仍然摘得桂冠,行业复苏号角已吹响
2023-08-09 来源:贤集网
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关键词: 半导体 三星 SK海力士

在半导体行业普遍低迷的情况下,三星电子今年第一季度在全球存储半导体市场保持了领先地位,而SK海力士的市场地位则出现下滑。市场研究公司Omdia近日发布的数据显示,三星电子第一季度在全球DRAM市场保持领先地位,市场份额为42.8%,与上一季度持平。

具体到数据方面,三星电子第一季度DRAM销售额同比下降61.2%至40.13亿美元,环比萎缩25.2%。业绩下滑主要归因于半导体市场持续衰退趋势,全行业减产导致销售额下降和收入下降。相比之下,SK海力士第一季度DRAM市场份额下降了2.3%,从上一季度的27.0%降至24.7%。此外,SK海力士的行业排名从第二位下滑至第三位,被美国半导体制造商美光科技取代,后者以27.2%的市场份额稳居第二位。



NAND内存市场方面,三星电子同样保持领先地位。尽管第一季度NAND闪存销售额比去年同期下降了一半,达到29.9亿美元,但三星电子的市场份额仍实现了0.4%的增长,达到34.3%。值得注意的是,NAND内存市场的其他主要参与者包含了日本铠侠(KIOXIA)(19.5%)、美国西部数据(Western Digital)(15.9%)和SK海力士(包括其子公司Solidigm)(15.1%)。SK海力士的NAND市场份额较上一季度的16.8%下降了1.7%,导致其行业排名从第三位滑落至第四位。

CNMO获悉,在第二季度财报电话会议上,三星电子和SK海力士均透露了进一步减产的计划,重点关注以NAND为中心的业务。


西数凯侠将合并,超越三星

多年以来,NAND芯片市场的霸主位置一直被三星所把持着,尽管海力士、美光、凯侠(原东芝存储部门)也有不错的表现,但和三星相比,还是有一定距离。不过现在市场格局似乎即将发生重大的变化。在经过较长时间谈判后,西数和凯侠即将达成合并协议,届时西数将超越三星成为闪存芯片新的龙头。

西数和凯侠的协议并不是简单将两家公司合并,而是分拆西数的NAND Flash存储部门,然后将这个部门与铠侠合并。之后西部数据的股东将控制合并后新公司略超过一半的股权,以达到控制公司的目的。目前相关的信息还处于保密状态,只能等两家公司合并后才能知道更多的细节,不过可以肯定的是,这次合并和过去的想的并非完全一样,或者说并不是西数收购凯侠这么简单。

据悉两家公司在谈判时,有建议是将由铠侠的团队来主导合并后新公司的经营,不过西数的高管也将发挥相对的重要辅助作用。而就目前情况来看,尽管双方谈判进展顺利,但距离最终协议敲定可能还需要一段时间。而且,期间可能会改变主意,甚至最终未能达成任何协议而告终。不过由于谈判已经进行了很久,而且现在双方都有合并的意愿,所以谈判告吹的可能性会比较小。

从我们了解的情况来看,合并后的新公司将采用双重董事会制度,两家闪存芯片制造商的高层都将是成员。新公司总部将设在日本,并预计分别在美国那斯达克以及东京上市。同时,铠侠的主要投资者贝恩资本还将获得特别股。先前有消息表示,铠侠将对合并后的公司出资43%、西数出资37%,余下20%股权将由东芝等现有股东持有,不过目前这个股份份额还没有得到确认,也可能会是西数出资更多。



截至2023年第一季为止,铠侠在NAND Flash市场占21.5%的市占率,而西数则是15.2%的市占率。另一方面,三星同期市占率上为34%。因此,铠侠和西数的NAND Flash部门合并后,其市占率将成为全球最大,拥有超过36.7%的市占率。这样三星将会下滑到全球第二,这对三星来说还是有不小的压力。

不过现在闪存芯片市场并不好过,SSD价格一直下滑,智能手机销量也很惨淡,所以这导致闪存整个行业的业绩低迷。凯侠和西数都铠侠借由这次合并来提高营运效率,而且如果能保持现在的市场份额,未来也能在NAND市场上获得更多的话语权以及合作伙伴。另外如果能对三星一些阻力,对于市场来说,可能利大于弊。


行业吹响复苏号角

HBM是当下数据处理速度最快的DRAM产品,是基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片,将多个DDR芯片堆叠后与GPU封装在一起,能够实现更高带宽、更高位宽、更低功耗、更小尺寸。最新财报显示,存储芯片DRAM三大龙头SK海力士、三星和美光业绩端开始反弹。三星电子23Q2由于智能手机出货量下降而营收下降,但存储业务较上一季度有所改善,官方称主要是由于公司专注于HBM和DDR5产品;SK海力士在截至6月30日的一个季度中,其销售额为7.31万亿韩元(约57亿美元),同比下降47%,但超出分析师预计的6.05万亿韩元。虽然目前HBM在SK海力士的营收占比不及1%,但今年这一比例便有望上升至10%;美光23Q2业绩结束连续三季度的下降迎来反弹,此外,中国台湾地区原厂月度业绩亦连续环比改善。

天风证券潘暕7月17日发布的研报指出,近期存储芯片利好频传拐点或已现,复苏号角似乎已在耳畔。从历史周期维度看,存储行业周期约为3-4年,本周期自2020Q1起始,于2022Q1价格阶段性见顶,目前已连续6个季度降价,处于周期筑底阶段。

价格方面,今年Q2起,多家供应商发出触底信号。先是三星和美光向经销商发出通知,不再低价接单DRAM及NANDFlash,拒绝接受低于4月的报价。5月份,有消息称长江存储原厂闪存正式开始涨价3-5%幅度后,三星电子、SK海力士等正在考虑提高报价。6月下旬,供货商中仅三星愿意进行cSSD(消费级固态硬盘)提前交易,经销商希望供货商让步但都遭拒绝。

潘暕指出,供给需求端,6月美光公布预计减产到2024年,早前2022Q4各原厂大幅削减资本开支,如果按正常生产周期3-4个月来看,供给有明显收缩减产效果将在Q2、Q3加速显现。南亚科表示公司在部分应用领域已出现急单。华邦近期消费电子、电视、物联网等三大应用客户需求回温,工控相关接单也持续发烫,客户急单涌入,而且“量也不少”。

此外,空间端,短期来看23Q2起存储芯片规模或将逐季增长,长期来看AI催化下存储需求有望数倍提升。地缘政治端,海外大厂逐步退出利基市场,美光事件加速本土替代。



超导技术或颠覆存储革命

室温超导材料获得突破,这将彻底改变材料科学领域的格局。近日,中国科学家取得了室温超导材料研究的重要突破,成功合成了一种能在室温下表现出超导性的材料。这项突破性研究让人们对未来超导材料应用的可能性充满了期待。

超导材料的特殊性质使得电流能够在其内部同步流动,几乎没有能量损耗。然而,过去的研究都是围绕在极低温条件下才能实现的超导材料展开的。而室温超导材料的发现,可谓是科学界的一大突破。它意味着我们不再需要耗费大量的能源来维持低温环境,就能够实现超导效应。这一突破将极大地推动超导技术在能源传输和储存领域的应用。

此外,国产量子芯片技术也在商用化进程中取得了加速。量子芯片作为新一代计算技术的代表,其超强计算能力可望在人工智能、密码学和材料科学等领域发挥巨大的潜力。当前,全球量子芯片研究正处于白热化的竞争中,而中国在该领域的发展势头迅猛。

随着国产量子芯片技术的商用化,中国在芯片领域的竞争优势不断增强。中国的芯片产业链不断完善,从材料研发到设计制造、封装测试再到应用拓展,已经形成了具有自主研发和生产能力的完整产业链。不仅如此,中国的芯片技术已经具备了特定场景下的应用能力,有望获得更多市场份额。

面对室温超导材料获得突破和国产量子芯片技术的商用化加速,人们不禁想到了“中国芯”的崛起。中国科技实力的提升和创新能力的增强,使得中国在全球科技领域的地位不断攀升。中国的科学家们正在为人类社会的进步做出重要贡献,他们的努力和成果将不再被忽视。

可以预见,随着室温超导材料和量子芯片技术的商用化,中国在材料科学和半导体领域的影响力将进一步扩大。中国将成为全球芯片技术的领头羊之一,不仅在国内市场有着巨大的发展空间,也在国际市场上有着不可忽视的影响力。



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