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被制裁1年,长江存储从全球第1,变成落后三星、SK海力士、美光
2023-08-23 来源:只谈数码科技
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关键词: 三星 SK海力士 长江存储

近日,全球存储大厂SK海力士公布了其最新的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品。SK海力士表示,与232层产品相比,单位容量提升了41%,延迟降低了13%,性能提升了12%,功耗降低了10%,并且生产效率也提升了59%,算下来成本降了至少50%。


而三星也表示,自己的300+层的4D NAND闪存,即将推出,而下一代产品将超过400层。


同样的还有美光,也表示即将推出300+层的NAND闪存,很明显这三大厂,时隔一年之后,要正式进入300层时代了。



对于NAND产品而言,不能一味的提升工艺,因为工艺达到15nm后,再提升的话,NAND闪存就不稳定。所以厂商们转向立体结构,多层堆叠,NAND层数越多,意味着存储密度越高,容量密度下的成本越低。


举个简单例子,大家就能够懂了。以前128层的1TB NAND芯片,需要200块,那么232层时,1TB的NAND芯片,只要100块左右,如果变成321层的话,可能只要50块了。


所以NAND芯片厂商们,想要提升技术、降低成本的办法,不像逻辑芯片一样,提升工艺,而是增加层数,采用立体结构来堆叠。



事实上,在232层这个档次,长江存储是全球第一家量产的。


去年下半年,长江存储成为全球首个量产232层NAND闪存的厂商,然后才是美光、SK海力士、三星。这意味着国产存储是真的支棱起来了。


但也正因为长江存储太优秀了,让美国害怕,所以美国在去年10月份,对长江存储进行了制裁,长存128层及以上NAND Flash的供应链受到严重阻碍,更不要说232层了。


先进设备买不到,甚至已经买到的先进设备,后续维修、更换备件都不行,这严重影响到了长江存储的产能,更重要的是影响到了技术发展。



而这也正是美国的目的,本来长江存储技术全球领先,那么依托这个232层的技术,长江存储可以迅速抢占市场,赢得最为宝贵的窗口时期。


但美国的制裁一下来,这个窗口时期就没有了,然后美光、三星、SK海力士等追了上来,直到现在这三大厂商,在技术上还反超了,让长存从领先变成了落后。


而一旦这些厂商300+层的NAND闪存推出,市场慢慢的就会又被这些厂商抢走。



可见,依赖别人技术的突破,真的还是有风险的,一旦别人进行制裁,技术发展路线可能就会被打断,从而出现危机。


我们需要的,还是全产业链的突破,举个例子,如果长江存储的232层突破,是基于国产设备的突破,那美国的制裁将毫无意义。


所以,国产半导体加油吧,我们不仅仅需要的是技术突破,更需要全产业链都跟上来,没有短板才行。



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