众所周知，我们说一款手机芯片时，大概率会提到它是什么工艺，谁制造的。比如即将发布的iPhone15，搭载苹果A17芯片，采用台积电3nm工艺。

这个工艺数字越小，一定程度上会说这款芯片越先进，比如大家就很明显的认为：3nm>5nm>7nm>10nm>14nm。

不过大家要注意的是，这个多少纳米工艺，有时候是不能横向比较的，只能纵向比较，比如台积电的5nm和三星的5nm，可能并不是一回事。

三星的5nm，也未必就一定比英特尔的7nm强，这是因为现在的XX纳米，已经与以前不一样了，以前的芯片工艺，是取决于晶体管的栅极长度，长度是多少，则工艺是多少。

但后来晶圆厂们，已经不按这个来了，台积电高管就曾公开承认过，XX纳米只是数字游戏，大家不必太认真，晶圆厂们喜欢将数字搞小一点，是为了营销。

所以，目前很多专业人士，评价芯片工艺时，一般还会参考晶体管密度。因为芯片由晶体管组成，同样面积下，晶体管越多，密度越高，性能就越强。

上图，就是台积电、三星、英特尔这几大厂商在不同工艺下的晶体管密度，差距一目了然，三星的掺水最严重，特别是在7nm之后，三星的芯片晶体管密度，差了好远，而台积电次之，英特尔的最严格，密度最高。

那么问题来了，最近华为的麒麟9000S芯片，如果用晶体管密度来算的话，究竟是什么工艺水平呢？毕竟网友们实在是太关心这个事情了。

国外机构发布了麒麟9000S电镜扫描结果，其晶体管密度为0.98BTr/mm²，也就是0.98亿个每平方毫米。对照上图，很容易就出来了，大约是台积电7nm、三星7nm的水平，甚至密度还高那么一丝丝了。

如果要与英特尔的比的话，从晶体管密度来看，只等同于英特尔的10nm，甚至还略微的逊色一筹。

这基本可以说明，这是一颗7nm的芯片，并且其技术水平，与三星、台积电的7nm水平差不多，毕竟晶体管密度也差不多。

相信这个结果，已经能够帮大家解答很多疑惑了，而7nm也是DUV光刻机制造芯片的极限，采用DUV光刻机，使用多重曝光工艺，最高能够制造7nm芯片。