最近网上又有众多的关于EUV光刻机突破的消息，这些内容真真假假，让网友们沸腾了一次又一次。

但与此同时，也让网友们有了更多的疑问，那就是国产光刻机，究竟发展到哪一步了？

事实上，目前门面上对外公开的技术，我们最先进的光刻机是上海微电子的SSA600/20系列，分辨率是90nm。

这是一台DUV光刻机，但是干式的那一种，光源是193nm波长的深紫外线，这种DUV光刻机，其最高支持的工艺是65nm。

不过按照网友们的猜测，这只是对外公开的，不对外公开的肯定不止，那么究竟有没有更先进的光刻机，这个我不去猜测，我也不清楚。

不过，我可以从光刻机的三大核心器件，来分析一下，目前这三大器件发展到什么程度了，大家根据这几大器件来参考一下吧。

光刻机的三大核心器件，分别是光源、物镜系统、工作台。

光源很容易理解，比如193nm波长的深紫外线，然后就是13.5nm的极紫外线。其中DUV光刻机，包含浸润式光刻机，均是采用193nm波长。

只是浸润式光刻机中，在工作台上面，会有一层水，而193nm波长的光源，经过水时会进行折射，等效于134nm波长的光源了。

目前国产光刻机，采用的是193nm的光源，至于13.5nm波长的极紫外线，目前没有搞定，前几天清华大学的那个SSMB-EUV方案，至少目前还没有真正搞定。

再说物镜系统，这里主要指的是蔡司提供给ASML的光学系统，目前全球能够生产浸润式光刻机物镜系统，包括EUV光刻机物镜系统的厂商，全球只有一家，那就是蔡司。

国内有了DUV干式光刻机，所有了DUV干式光刻机的物镜系统，之后还有浸润式光刻机的物镜系统，还有EUV光刻机的物镜系统，这是两个很大的坎。

最后说说工作台，工作台由曝光台、流量台两部分组成，也就是双工作台。目前国内的技术，也是DUV光刻机的工作台，不过据说差别不是特别大，所以这一块应该不是太难的点。

而浸润式光刻机的工作台，又有一点不一样，在工作台上面，有一层浸润式系统，这个至少没有公开资料显示，我们有没有搞定也不清楚了。

事实上除了这三大核心器件之外，像光束矫正器、光束形状设置、遮光器、能量探测器等等，都是非常有难度的，并且不同的光刻机，要求都不一样，并不能通用的。

所以，网上什么这个突破，那个突破，也要看情况，单一的EUV光源或某件东西的突破，并不能让整个光刻机技术突破，需要众多的突破一起才行。

当然，正如我前面所言，这些都是明面上的东西，也许我们特意低调，闷声发财，不对外公布也是有可能的，所以本文仅供参考。