宽禁带半导体是指具有宽禁带能隙的半导体材料，例如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。由于其能够承受高电压、高温和高功率密度等特性，宽禁带半导体在领域中具有广泛应用前景。

根据市场调研机构的数据，宽禁带半导体市场的全球规模预计将从 2020 年的 27.6 亿美元增长到 2027 年的 86. 5亿美元，年复合增长率达到 17.5%。其中，碳化硅（SiC）半导体市场规模较大，占据了市场份额的大部分，而氮化镓（GaN）市场规模也在逐年增长。预计未来几年，随着新能源汽车的普及和5G基础设施建设的加速推进，宽禁带半导体市场 将持续保持高速增长。 

由 和 Bodo’s 功率系统杂志主办，China i2i Group，溢辉源展览（深圳）有限公司协办，将于今年10月12日在深圳国际会展中心(宝安新馆) 3号馆 3H88 会议区线下举办 Bodo’s 宽禁带半导体论坛。该活动已连续6年在德国成功举办，聚集了全球数百名行业专家，分享宽禁带半导体领域的技术发展和最新成就。

现场嘉宾云集，大师云聚，将给现场观众呈现了一场充满干活的视听盛宴。即刻扫描下方二维码，提前预登记，进场快人一步！10月11-13日，深圳国际会展中心，期待您的到来！

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