去年6月份的时候，三星就表示称，自己的3nm芯片正式量产，采用的是新一代的GAAFET晶体管技术。

而台积电的3nm，直到去年12月份才量产，采用的还是之前的老迈的FinFET晶体管技术。

可见，三星领先台积电半年，同时技术更先进，毕竟大家都认为GAAFET晶体管技术，比FinFET晶体管技术更先进。

于是很多人认为，三星这次可能要弯道超车，用GAAFET晶体管技术，领先台积电，抢台积电的市场，最终战胜台积电。

一年多时间过去了，台积电的3nm手机芯片苹果A17 Pro正式推出，用于iPhone15 Pro系列上，虽然表现没有让人惊艳，表现一般般，但至少3nm工艺已经立住了，在3季度，已经为台积电贡献了6%的收入，后续会不断的增多。

但三星的3nm芯片呢？虽然领先半年，虽然采用更先进的GAAFET技术，但目前还没有一家手机芯片厂商使用，高通最新的骁龙8Gen3，采用的是4nm工艺，联发科的天玑9300，采用的是4nm工艺。

最搞笑的是，三星自己的Exynos2400，居然也不用自己的3nm工艺，使用的是去年的4nm工艺。连三星自己都不用的工艺，你说让别人怎么用？自己都没有信心，让别人怎么有信心呢？这不是很搞笑么？

不同芯片工艺的阈值电压变化图

事实上，GAAFET晶体管技术，确实比FinFET晶体管技术要好，特别是在功耗控制、发热控制上。

我们知道，芯片的功耗，分为两部分，一部分是动态功耗，即芯片运行时产生的功耗。

另外一部分则是表态功耗，也称漏电功耗，即CMOS晶体管各种泄露电流产生的静态功耗，这部分与芯片的阈值电压息息相关，其实到7nm阶段时，芯片的静态功耗，比动态功耗更高，这部分才是功耗大头。

而GAA技术，相比于之前的FinFET技术，加到晶体管上的阈值电压变小，这样导致漏电功率也变小，从而芯片的功耗会得到较好的控制，功耗降低，那么发热也会更佳。

但很明显，三星GAAFET技术虽然很厉害，但没能在这次的3nm芯片上弯道超车，反而成了笑话，毕竟自己都不用的工艺，让别人怎么用。

不过，近日三星又放话了，要在2026年实现2nm芯片的量产，然后在未来 5 年内超越台积电和其它行业巨头！