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规避美国128层以上NAND禁令 长江存储秘密武器另闢蹊径
2023-10-24 来源:科技网
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关键词: 长江存储 三星电子 SK海力士

长江存储绕弯128层NAND禁令限制,传120层NAND新品已送交客户认证。韩青秀摄


美国近期晶片禁令再升级,中美科技战对峙烟硝瀰漫,记忆体禁令限制维持不变,但对长江储存等中系代表厂商的金箍咒预料短期将难再放宽。


业界透露,为了避开美国对128层以上NAND Flash设备出口的限制,长江存储另闢蹊径寻觅出路,以“五台山”为产品命名的秘密武器,刻意将层数堆叠降至120层,但升级原有Xtacking结构,I/O速度堪比其他NAND原厂200层以上性能。


近期新产品已陆续送样验证,预计2024年初将展开量产,未来120层NAND将成为重点推动的营运主力。


长江存储2022年后起直追,推出旗舰232层3D NAND晶片,越级挑战记忆体大厂如三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、铠侠(Kioxia)等。


但美国大刀开铡,美系设备供应商受到出口管制规范,迅速停止供货与相关服务,并在年底将长江存储列入制裁实体清单,外界曾认为,在缺乏设备商技术支援下,长江存储2024年起恐将淡出3D NAND市场竞争。


供应链透露,为了规避美国禁令的红线,长江存储开发Xtacking 4.0新架构,将可望摆脱128层的限制,虽然长江存储不愿再对外强调堆叠层数。


但据悉,“五台山”新产品已从第3季底~第4季陆续送样认证,配合供应链也积极进行调整设计,虽然堆叠层数仅120层,但量产成熟后,不排除可继续延伸堆叠至240层或以上,不仅绕弯突围封锁,且可持续提升成本竞争力。


供应链预期,Xtacking 4.0架构的120层NAND可望在年底推出,并有望从2024年第1季~第2季量产,届时将可供应128、256及512 Gb等晶片产品。虽然短期内不会应用在企业级储存或高密度产品,但在消费性电子应用或手机品牌供应链等领域,长江存储必然将不会缺席。


长江存储在禁令前,大量採购的微影机等设备均属于顶级配置,且目前128层设备机台均逐年摊提折旧成本,产品价格将具有竞争力,基于Xtacking 3.0架构的128层NAND已稳定量产出货,未来武汉二厂将陆续扩大产量。预计2024年起将大量转换至120层NAND产品,成为美国禁令限制下的主力制程。


长江储存的Xtacking技术原理,是将晶圆独立加工I/O及记忆单位操作的週边电路,储存单元则在另一片晶圆独立处理,并将两片晶圆进行黏合,不同于传统NAND原厂堆叠。


Xtacking 3.0架构进一步提高CMOS元件的性能和I/O速度,232层堆叠NAND可拥有2400MT/s 的传输速度。据传,最新4.0架构性能将与其他NAND原厂200层以上的产品表现相当。


业界指出,早在半年前,长江存储的初期样品曾一度流出,韩系记忆体大厂曾详细进行分析,当时对于性能表现与技术架构大为震惊。不过长江存储直到近期才正式向客户提出送样验证,预期量产品质和性能验证结果,将在2024年初较为明朗。


但无论初期量产品质表现如何,在中国半导体国产化推动浪潮下,中系品牌及模组业者必然将大力支持导入,长江存储将在中国内需市场取得无可取代的主导地位。



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