众所周知，目前的芯片以硅基芯片为主，即采用硅为原料，制造成晶圆，再通过光刻机、刻蚀等技术，变成祼片，再切割，封装成一颗颗成品芯片。

硅晶圆可以说是最重要的材料，但硅晶圆也分为很多种，并不是所有的芯片使用硅晶圆都是一样的，一般不同的芯片类型，有不同的硅晶圆。

比如近日，中国科学院上海微系统所就表示，研究团队制备出了国内第一片300mm射频（RF）SOI晶圆，实现了0的突破。

这个SOI晶圆就是一种特色晶圆，SOI是Silicon On Insulator的简称，也就是硅晶体管结构在绝缘体之上的意思。

SOI晶圆的优点，就是能够减少电流漏电，从而降低功耗，因为目前的芯片漏电功耗，已经占到了所有功耗的一半了，能够减少漏电电流，就能够大幅度降低功耗，减少发热。

还有SOI晶圆，能够提升时钟频率，所以这种晶圆，一般适用于低功率、低发热、功耗、热量敏感型的器件，比如射频、功率和硅光器件这些芯片。

以前国内是无法制造这种SOI晶圆的，全球SOI晶圆90%以上的市场被法国Soitec垄断。而在SOI晶圆制造上，美国的格芯又是最牛的，所以目前全球众多的射频芯片，全是格芯代工的，甚至美国军方大多数射频器件的代工，都是格芯。

当然，随着工艺的不断细分，目前SOI晶圆也分为很多种，比如FD-SOI、RF-SOI、Power-SOI、Photonics-SOI、Imager-SOI。

这些晶圆用于不同的芯片、不同的领域，而这次中科院制造出来的只是RF-SOI，但相信后续接下来，我们能够制造出更多的SOI晶圆。

此外，随着国产SOI晶圆的生产，也将推进国内SOI晶圆的代工生产等，要知道目前国内射频芯片发展相对落后，比如手机使用的射频芯片，特别是高端射频芯片，比如5G射频芯片，国内制造大多不出来，大量依赖进口。

而RF-SOI晶圆的问世，想必也能够推动射频芯片的代工、封装等与之配套的产业发展，从而减少后续对国外射频芯片的依赖。