众所周知，美国在本月再次升级芯片禁令，将大家最关注的浸润式光刻机，也禁了。

理论上，浸润式光刻机，虽然也是采用193nm波长的光源，但通过多重曝光之后，最高可以支持到7nm。

美国之所以禁了它，很多人猜测是被华为Mate60这款手机吓住了，因为在禁令之下，中国居然能独立搞出等效于7nm的芯片来，这是美国不能接受的，所以转身又将浸润式光刻机也禁了。

禁了浸润式光刻机，我们的芯片产业怎么办？无法再生产7nm芯片，再也无法进入7nm之下了么？

近日，台积电前研发副总，浸润式光刻机之父林本坚表示，美国是无法阻止中国大陆在先进制程芯片技术方面的进步，中国大陆可以利用现有设备，推进到5nm工艺。

其它人这样说，可能大家觉得是在吹牛，但林本坚这样说，意义却不一样的。

他不仅是台积电前研发副总，更是浸润式光刻机之父。当初尼康、佳能、ASML均在研发光刻机，大家在193nm波长的光源之后，有了分歧，尼康、佳能等要改进光源，采用154nm的，但这种光源非常不稳定，很难搞。

而林本坚觉得，利用水的折射原理，将193nm波长光源，经过水的折射后，就等效于134nm了，波长更短，同时还直接跳过154nm这个难搞的波长了。

尼康、佳能不相信他，坚持搞自己的154nm波长的光刻机。当时ASML还是小厂，反正也生存困难，不如陪林本坚赌一把，于是和台积电配合，搞出浸润式光刻机。

最后浸润式光刻机非常成功，ASML占得先机，因此将佳能、尼康甩在了身后，奠定了自己光刻机老大的地位，最后现搞出EUV光刻机，佳能、尼康就彻底不是对手了。

可见，林本坚对光刻机技术，芯片技术都是非常了解的，他认为我们基于现有设备，能够继续改进，然后推进到5nm，那么这很可能就会成为现实。

事实上，除了利用现有设备进行改进，推进到5nm之外，目前国产光刻机也在不断的突破，这是两条不同的线，任何一条线的前进，都能实现5nm这个小目标。

所以说，美国打压，其实真的是没有意义的，反而会逼着中国供应链崛起，最终摆脱对国外的依赖，甚至有可能让国外的芯片设备厂商，彻底失去中国大陆这个市场。

那什么时候我们能搞定5nm？就让时间来证明了，不知道那时候，美国还有何办法可想？是不是就得放开，然后进行倾销来打压了？