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美光发布最新显存路线图,已经落后三星一步
2023-11-16 来源:贤集网
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关键词: 美光 人工智能 三星

近期美光公司正式发布了包括GDDR7和HBM4E内存技术在内的显存路线图。目前美光最高规格的GDDR6X显存最高运行带宽为24Gbps,显存容量为16GB。

根据美光发布的路线图,将在2024年中推出GDDR7显存,运行带宽为32Gbps,容量为16-24Gb;到2026年会推出更快的GDDR7显存,带宽为36Gbps,容量采用超过24Gb。



而英伟达的下一代显卡RTX 50系列基本确定在2025年发布,到那时GDDR7显存应该也基本成熟了,首发搭载问题不大。

美光还将在2024年推出8层堆叠的AI和数据中心专用带宽超1.2TB/s的HBM3E内存;并于2024年底2025年年初推出12层堆叠容量为36GB的HBM3E。到2026年美光将推出12层和16层堆叠的HBM4,带宽超过1.5TB/s;并在2028年发布12层和16层堆叠的HBM4E,带宽可达2TB/s以上。

在内存方面,美光将在2024年中推出LPCAMM2内存,带宽为8533Mbps;到2026年将推出带宽为9600Mbps的LPCAMM2内存。


三星抢先一步亮相GDDR7显存技术

“2023年三星内存技术日”上,三星再次更新了关于其GDDR7显存的技术信息。

自去年10月份三星正式公布GDDR7显存以来,就一直受到了广泛关注,如今三星带来了关于该技术更多的细节和改进。据三星官方介绍,在过去的一年里,通过精心研发设计,在改善GDDR7显存的动态功耗方面取得了显著的成果。



通过新的额外时钟控制,GDDR7显存的待机功耗较之前的GDDR6降低了50%,进一步降低了设备的整体功耗。

在性能上,三星表示,与目前最快的24Gbps GDDR6 DRAM相比,GDDR7显存的性能提升了40%、能效提升了20%。

在速度方面,三星首批GDDR7产品的额定传输速度最高32Gbps,比GDDR6显存提升了33%,在384位总线接口时,实现了高达1.5TB/s的带宽。

此外,三星还强调GDDR7显存将采用专门针对高速工作负载进行优化的技术,使得内存能够在高强度工作下稳定运行。同时还将提供低工作电压选项,专为笔记本电脑等需要谨慎用电的设备而设计。除了36Gbps的GDDR7显存外,三星还展示了速度更高的显存样品,但目前还不清楚后期能都实现商业化。


HBM4为时尚早,明年市场主流还得看HBM3与HBM3e

自2014年首款硅通孔HBM产品问世至今,HBM技术已经更新迭代出多款产品,分别有HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3e等。

原厂规划方面,此前集邦咨询调查显示,两大韩厂SK海力士(SK hynix)、三星(Samsung)先从HBM3开发,代表产品为NVIDIA H100/H800以及AMD的MI300系列,两大韩厂预计于2024年第一季送样HBM3e;美系原厂美光(Micron)则选择跳过HBM3,直接开发HBM3e。

HBM3e将由24Gb mono die堆栈,在8层(8Hi)的基础下,单颗HBM3e容量将一口气提升至24GB,此将导入在2025年NVIDIA推出的GB100上,故三大原厂预计要在2024年第一季推出HBM3e样品,以期在明年下半年进入量产。

除了HBM3、HBM3e之外,最新消息显示,存储大厂还在规划推出下一代HBM——HBM4。



近日,三星电子副社长、DRAM产品与技术团队负责人黄尚俊对外表示,三星电子已开发出9.8Gbps的HBM3E,计划开始向客户提供样品。同时,三星正在开发HBM4,目标2025年供货。据悉,三星电子正开发针对高温热特性优化的非导电粘合膜(NCF)组装技与混合键合(HCB)等技术,以应用于HBM4产品。

9月韩媒报道表示,为了掌握快速成长的HBM市场,三星将大幅革新新一代产品制程技术,并推出HBM4产品。据悉,HBM4内存堆栈将采用2048位内存接口 。此前所有HBM堆栈都采用1024位接口。接口宽度从每堆栈1024位增加到每堆栈2048位,足以可见HBM4具备的变革意义。

尽管HBM4将有大突破,但它毕竟不会很快到来,谈应用以及普及为时尚早。业界指出,当前HBM市场以HBM2e为主,未来HBM3与HBM3e将挑起大梁。

集邦咨询调查显示,当前HBM市场主流为HBM2e,包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多数CSPs自研加速芯片皆以此规格设计。同时,为顺应AI加速器芯片需求演进,各原厂计划于2024年推出新产品HBM3e,预期HBM3与HBM3e将成为明年市场主流。

以HBM不同世代需求比重而言,据TrendForce集邦咨询表示,2023年主流需求自HBM2e转往HBM3,需求比重分别预估约是50%及39%。随着使用HBM3的加速芯片陆续放量,2024年市场需求将大幅转往HBM3,而2024年将直接超越HBM2e,比重预估达60%,且受惠于其更高的平均销售单价(ASP),将带动明年HBM营收显著成长。



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