近期美光公司正式发布了包括GDDR7和HBM4E内存技术在内的显存路线图。目前美光最高规格的GDDR6X显存最高运行带宽为24Gbps，显存容量为16GB。
根据美光发布的路线图，将在2024年中推出GDDR7显存，运行带宽为32Gbps，容量为16-24Gb；到2026年会推出更快的GDDR7显存，带宽为36Gbps，容量采用超过24Gb。
而英伟达的下一代显卡RTX 50系列基本确定在2025年发布，到那时GDDR7显存应该也基本成熟了，首发搭载问题不大。
美光还将在2024年推出8层堆叠的AI和数据中心专用带宽超1.2TB/s的HBM3E内存；并于2024年底2025年年初推出12层堆叠容量为36GB的HBM3E。到2026年美光将推出12层和16层堆叠的HBM4，带宽超过1.5TB/s；并在2028年发布12层和16层堆叠的HBM4E，带宽可达2TB/s以上。
在内存方面，美光将在2024年中推出LPCAMM2内存，带宽为8533Mbps；到2026年将推出带宽为9600Mbps的LPCAMM2内存。
三星抢先一步亮相GDDR7显存技术
“2023年三星内存技术日”上，三星再次更新了关于其GDDR7显存的技术信息。
自去年10月份三星正式公布GDDR7显存以来，就一直受到了广泛关注，如今三星带来了关于该技术更多的细节和改进。据三星官方介绍，在过去的一年里，通过精心研发设计，在改善GDDR7显存的动态功耗方面取得了显著的成果。
通过新的额外时钟控制，GDDR7显存的待机功耗较之前的GDDR6降低了50%，进一步降低了设备的整体功耗。
在性能上，三星表示，与目前最快的24Gbps GDDR6 DRAM相比，GDDR7显存的性能提升了40%、能效提升了20%。
在速度方面，三星首批GDDR7产品的额定传输速度最高32Gbps，比GDDR6显存提升了33%，在384位总线接口时，实现了高达1.5TB/s的带宽。
此外，三星还强调GDDR7显存将采用专门针对高速工作负载进行优化的技术，使得内存能够在高强度工作下稳定运行。同时还将提供低工作电压选项，专为笔记本电脑等需要谨慎用电的设备而设计。除了36Gbps的GDDR7显存外，三星还展示了速度更高的显存样品，但目前还不清楚后期能都实现商业化。
HBM4为时尚早，明年市场主流还得看HBM3与HBM3e
自2014年首款硅通孔HBM产品问世至今，HBM技术已经更新迭代出多款产品，分别有HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3e等。
原厂规划方面，此前集邦咨询调查显示，两大韩厂SK海力士（SK hynix）、三星（Samsung）先从HBM3开发，代表产品为NVIDIA H100/H800以及AMD的MI300系列，两大韩厂预计于2024年第一季送样HBM3e；美系原厂美光（Micron）则选择跳过HBM3，直接开发HBM3e。
HBM3e将由24Gb mono die堆栈，在8层（8Hi）的基础下，单颗HBM3e容量将一口气提升至24GB，此将导入在2025年NVIDIA推出的GB100上，故三大原厂预计要在2024年第一季推出HBM3e样品，以期在明年下半年进入量产。
除了HBM3、HBM3e之外，最新消息显示，存储大厂还在规划推出下一代HBM——HBM4。
近日，三星电子副社长、DRAM产品与技术团队负责人黄尚俊对外表示，三星电子已开发出9.8Gbps的HBM3E，计划开始向客户提供样品。同时，三星正在开发HBM4，目标2025年供货。据悉，三星电子正开发针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技与混合键合（HCB）等技术，以应用于HBM4产品。
9月韩媒报道表示，为了掌握快速成长的HBM市场，三星将大幅革新新一代产品制程技术，并推出HBM4产品。据悉，HBM4内存堆栈将采用2048位内存接口 。此前所有HBM堆栈都采用1024位接口。接口宽度从每堆栈1024位增加到每堆栈2048位，足以可见HBM4具备的变革意义。
尽管HBM4将有大突破，但它毕竟不会很快到来，谈应用以及普及为时尚早。业界指出，当前HBM市场以HBM2e为主，未来HBM3与HBM3e将挑起大梁。
集邦咨询调查显示，当前HBM市场主流为HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多数CSPs自研加速芯片皆以此规格设计。同时，为顺应AI加速器芯片需求演进，各原厂计划于2024年推出新产品HBM3e，预期HBM3与HBM3e将成为明年市场主流。
以HBM不同世代需求比重而言，据TrendForce集邦咨询表示，2023年主流需求自HBM2e转往HBM3，需求比重分别预估约是50%及39%。随着使用HBM3的加速芯片陆续放量，2024年市场需求将大幅转往HBM3，而2024年将直接超越HBM2e，比重预估达60%，且受惠于其更高的平均销售单价（ASP），将带动明年HBM营收显著成长。
