实话实说，对于中国大陆的芯片制造产业而言，目前的首要任务肯定不是像台积电、三星一样搞定3nm，而是脚踏实地，先把14nm、7nm产业链实现全部国产化。

然后再用利14nm、7nm这样相对先进的工艺，制造出5nm、3nm这样性能的芯片出来，毕竟EUV光刻机买不到，我们要进入5nm确实很困难。

不过，要实现14nm、7nm芯片的全部国产化，也有一个大困难，那就是国产光刻机。

普通的ArF光刻机，最高支持的工艺是65nm，只有进入浸润式光刻机，也就是ArFi光刻机，最高才能支持到7nm这个级别，所以要想14nm、7nm芯片全国产化，浸润式光刻机必须国产化。

那么问题来了，浸润式光刻机国产化，我们还差多少步？

浸润式光刻机，与普通的非浸润式ArF光刻机相比，主要在于在晶圆上方，会加入一层水，而深紫光线光源，经过这一层水的折射时，波长193nm会变成134nm，从而提高光刻精度。

而控制这层水的系统的叫做浸润式系统。其它的结构，与普通的非浸润式光刻机相同。

而普通的非浸润式光刻机，主要由三大关键部分组成，光源系统、物镜系统、工作台。

光源系统采用的是193nm波长的深紫外线，这一块上海微电子目前实现的光刻机，采用的就是193nm波长的光源，所以光源系统已经搞定。

再看物镜系统，这一块是当前光刻机的难点，因为ASML与卡尔蔡司独家合作，目前国产的物镜系统还在90nm，但有媒体报道称，长春光电所已经搞定了32nm，但离浸润式光刻机的要求，还有一点距离。

接着看工作台，这里并不是特别难，清华大学与华卓精科合作，推出的双工作台已经实现了10nm精度的控制，所以用于浸润式光刻机，基本上也没问题了。

至于浸润式系统这一块，主要由控制软件、液态传感器、控制器等组成，之前有媒体报道称启尔机电在浸液控制系统上取得了重大突破，可以用于浸润式光刻机了。

可见，真正卡住的只有物镜系统了，一旦物镜系统突破，那么国产浸润式光刻机就能够搞定了，那么实现最高7nm芯片的全国产化，也就不那么困难了。

至于国产EUV光刻机，那就物镜系统、工作台、EUV光源都要解决，所以大家先别急，等浸润式光刻机实现国产化再说，路得一步一步走。