记忆体原厂第4季供货减少，记忆体模组厂买货不易，推升Flash Wafer报价持续拉涨。符世旻摄

随著终端传统备货旺季进入尾声，记忆体11月现货价格的涨幅明显趋缓，但第4季上游NAND原厂释出产能持续减少，记忆体模组厂想逢低敲定大单却无法如愿。

儘管短期通路市场出现库存积压的现象，NAND Flash Wafer涨势不减反增，主流512 Gb现货价单月调涨约2成，站上2.6美元，持续朝向原厂损益平衡点关卡迈进。

随著市场行情先行指标的现货市场从第3季启动涨势，记忆体合约价第4季相继跟进调涨，除了行动式记忆体受惠于手机品牌厂年底回补库存，合约价季增约15~20%，随著PC 与伺服器平台进入更新迭代，DDR5渗透率日益提升，带动DDR5价格上涨双位数幅度、DDR4及DDR3的涨幅也优于原先预估的中个位数表现。

不过现货价部分，经过第3季逐月回神调涨，下游通路及记忆体模组厂在年底旺季接单分别在9~10月完成出货，市场预期记忆体价格看涨的期待心理，带动短期的库存回补需求大致告一段落，11月现货价涨幅已明显转趋疲弱。

受到中国消费降级的市场氛围，双十一等年度促销及零售市场买气均不如预期，欧美市场对于黑色星期五及耶诞备货需求也陆续出货近尾声，不过实质需求导致去化缓慢，导致终端通路库存提高，尤其DRAM价格处于震盪调整期，有待2024年需求复甦迹象显现。

整体来看，大容量DRAM颗粒产品的涨幅较大，DDR4 16Gb （2Gx8）近月来平均涨幅约3.25%，DDR4 8Gb处于0.25~1.8%之间微幅调涨，儘管上游原厂已积极调降DDR4供给产出，但二手拆解市场仍有不少DDR4颗粒流窜，整体DDR4市场库存也较高，拖累DDR4价格调涨不易，至于DDR3价格不涨反跌，库存调整持续进行中

NAND Wafer价格持续受到上游原厂供应减产的影响驱动，记忆体模组业者透露，目前原厂对第4季Flash供应的态度就是拖延战术，原先曾在9月试图敲定数百万颗订单，但原厂迟迟不愿放货，就算愿意给货，数量及价格都无法达到满意的目标，虽然终端市场需求已进入淡季，但Flash现货市场行情却处于上游热、下游冷的特殊状态，加速Flash Wafer各产品全面调涨。

以现货市场来看，512Gb TLC价格从半年前约1.4美元一路爬坡向上，目前11月底价格已达到2.6~2.7美元，原本价格一度跌破材料成本，如今正朝著原厂损益平衡的首要目标持续狂涨，根据业界估算，512 Gb Flash价格要回到3.2~3.5美元，原厂才有望回到损平点，短期内估计价格难再回头，但终端SSD价格仍难跟进上涨，导致进货价高于卖价的状况持续存在。

根据估计，各家原厂的减产效益在下半年陆续显现，亏损及库存正逐季缩小，不过各家合计亏损金额仍高达60亿美元，虽比第2季亏损80亿美元的幅度收敛，但NAND原厂将持续推动减产策略延续至2204年。

过去一向买货备料不手软的群联，截至第3季存货淨额达到新台币213.31亿元，看好NAND晶片市况转热，为了因应景气需求即将回温，近期宣布将拟透过预付货款，强化与 NAND供应商的合作与稳定货源，预期2024年将出现缺货潮。