据中国台湾媒体消息，经过较久的低压氛围，近日市场逐渐看好存储芯片，加上存储五大厂减产有效，存储芯片价格难以按捺，存储芯片下游系统厂商采购力道转趋积极，部分产品出现缺货现象。据产业链反馈，目前包括三星、美光等在内的厂商均有意愿涨价。
市场增长因素
根据知名研究机构Omdia 9月报告显示，2023Q2半导体行业总产值达到1243亿美元，环比增加3.8%；11月报告宣布2023Q3总产值1390亿美元，比Q2再涨8.4%。连续2个季度的持续增长，意味着全行业在连续5个季度营收下降之后成功扭转颓势，实现“触底反弹”。
这两个季度的持续复苏要归功于以下几个方面：
首先是全球经济复苏的大背景为半导体芯片行业带来了新的发展机遇，各国家/地区经济活动的稳步恢复，也连带推动了半导体市场需求的稳步增长；还有此前供应链的问题基本解决，产能提升加快了行业复苏。
另一些机遇来自于AI人工智能、物联网、云计算等新兴技术的应用和发展。其中广泛应用于智能汽车（辅助驾驶）、全屋智能、医疗领域的人工智能动力甚猛，AIGC应用背后的大模型训练带来了算力芯片需求的增长，存储芯片的扩张速度也很明显，未来芯片发展的上限比较客观，从而为全行业未来的发展注入更多信心。
原厂涨价意愿较强，分析师表示需要关注未来需求
12月7日，媒体报道西部数据对客户发出涨价通知信。在信中西部数据表示，公司会每周审查硬盘产品定价，预计明年上半年价格将上涨；闪存芯片部分，公司预期未来几季价格将呈现周期性上涨，在当前报价的基础上，累计涨幅或达55%。
值得注意的是，现阶段业内多看好NAND芯片报价止跌回升，但目前供应商多是向客户单独通知调整报价，而西部数据本次直接向客户发出涨价信，且预计涨幅惊人，堪称开出了业内全面大涨价的第一枪。
与此同时，存储产业链上不少厂商的最新财报环比改善明显。
三星电子Q3净利润5.50万亿韩元，由亏损转向盈利。11月初韩媒引述半导体产业多位消息人士谈话指出，在Q4库存去化尾声阶段，三星有意将明年一季度与二季度逐季调涨报价20%。
12月11日，SSD主控芯片厂商群联公布了11月业绩报告，合并营收为54.07亿元新台币，月增长近5%。按照群联的说法，11月SSD控制芯片总出货量持续回温，其中，PCIe SSD控制芯片总出货量年成长将近40%，创历史同期新高纪录。这也在侧面佐证了存储行情大涨的消息。
存储模组厂威刚最新财报显示，公司10月合并营收37.91亿新台币，环比增13.43%，同比增39.59%。威刚董事长陈立白近日表示，预计NAND Flash库存将于今年底或明年1月底完成去化，预期明年DRAM及NAND Flash都可能供不应求。
江波龙Q3营收28.72亿元，环比增长29.03%；存储芯片分销商香农芯创Q3扣非净利润6377万元，环比增长22.57%。
此外，DRAM厂商南亚科认为，已经观察到DDR5规格DRAM价格开始上涨，DDR4的价格在各大厂力守之下也开始稳定，预计DDR4、DDR3的价格有机会在第四季小幅改善。
今年以来虽然各家存储大厂减产步调不一，但是库存清理至今，先前较高的晶圆库存也陆续释出。“NAND Flash现货价格从9月底开始强劲上行，这源于供应商集体减产。若非亏损非常严重，供应商很难如此团结地提拉价格。“TrendForce集邦咨询分析师吴雅婷近日表示，三星产能比高峰期减少近半，说明三星这类成本结构较优的厂商也无法再忍受亏损，至目前，晶圆均价谷底应已通过。
而从供应端看，近日行业消息显示，存储原厂对四季度闪存供应主打“拖延战术”，模组厂曾在9月试图敲定数百万颗订单，但原厂迟迟不愿放货，就算愿意给货，数量及价格都无法达到满意目标。与此同时，三星据悉已暂停NAND产品报价及出货。
据Trend Force集邦咨询最新的研究显示，虽然DRAM和NAND Flash的合约价从第四季度开始上涨，但涨幅可能低于预期。对于DRAM来说，第四季，供给方面，原厂涨价态度明确，预估第四季DRAM合约价上涨约13~18%。；需求方面的回温程度则不如过往旺季。整体而言，买方虽有备货需求，但以目前来说，服务器领域因库存水位仍高，拉货态度仍显得被动，第四季DRAM产业的出货成长幅度有限。
中国市场的崛起
过去15年，可以说是中国集成电路历史上发展最快的时期。2022年我国集成电路设计销售收入达到惊人的5156.2亿元，销售额增长13.2倍！制造业、封测业的销售收入也同样呈现爆炸性增长。这一切，都离不开国内市场的崛起。
叶甜春指出，中国的半导体市场正在迅速扩大，国内集成电路产业已经构建了较为完整的体系布局，形成了较为完整的技术体系和产业链。这意味着，中国已经具备了走出一条以我为主发展路径的坚实基础。
面对国际上的挑战，叶甜春强调，只有战略上求变才能掌握主动。在经过过去15年从无到有，进行产业链布局后，中国需要升级版的发展战略，从而解决市场产品供给问题。
他特别指出，路径创新、换道发展才是出路。中国在现有技术路径上遭遇“7纳米壁垒”，这反而倒逼出“路径创新”的机遇。集成方法从平面到三维将成为技术演进的新途径，功能融全趋势将拓展出新空间。设计创新、架构创新等技术创新成为新焦点。
叶甜春特别指出，我国集成电路要从“追赶战略”转向“路径创新战略”，立足中国市场实现世界水平创新。通过产业链协同，实现技术创新与产业模式创新并存，要更多发挥中国市场崛起的优势，以中国市场引领全球市场，开辟新赛道。
