12 月 27 日消息，佳能今年 10 月宣布 FPA-1200NZ2C，这是一款纳米压印光刻（NIL）半导体设备。

佳能社长御手洗富士夫近日表示，纳米压印光刻技术的问世，为小型半导体制造商生产先进芯片开辟了一条新的途径。

佳能半导体设备业务经理岩本和德表示，纳米压印光刻是指将带有半导体电路图案的掩模压印在晶圆上，只需一个印记，就可以在适当的位置形成复杂的 2D 或 3D 电路图案，因此只需要不断改进掩模，甚至能生产 2nm 芯片。

据报道，佳能的纳米压印光刻技术能够产生至少 5 纳米工艺尺寸的芯片，在目前由 ASML 主导的先进半导体制造设备市场，佳能的这项技术可以不断缩小和 ASML 的差距。

岩本和德在设备成本上表示，由于客户成本都不相同，单个压印工艺的估计成本最低可以达到传统光刻设备工艺的一半。

今年 11 月报道，御手洗富士夫表示：“NIL 产品的价格比 ASML 的 EUV 少 1 位数”。

佳能与日本印刷综合企业大日本印刷株式会社（Dai Nippon Printing Co.）以及存储芯片制造商铠侠控股（Kioxia Holdings Corp.）合作研究纳米压印技术已有近十年的时间。

与通过反射光工作的极紫外光刻技术不同，佳能研究的纳米压印技术是将电路图案直接印在晶圆上，从而制造出据称几何形状与最先进节点相当的芯片，但速度要慢得多。

这种新设备有望让芯片制造商降低对芯片代工厂的依赖，同时也让台积电和三星电子等芯片代工厂更有可能批量生产芯片。佳能表示，这种机器所需功率只有 EUV 同类产品的十分之一。

佳能此前一直专注于制造普通芯片，2014 年开始大力投资纳米印记技术，收购了主攻纳米压印技术的分子压模公司 (Molecular Imprints Inc.)。作为台积电的供应商之一，佳能正在东京北部的宇都宫市建设 20 年来的第一家光刻设备新工厂，将于 2025 年投产。

岩本和德在接受日经采访时表示，佳能目前收到了来自半导体制造商、大学和研究机构的大量询问，客户预估该技术可以作为 EUV 的替代品，有望生产包括闪存、个人计算机的 DRAM 和逻辑 IC 等各种半导体。