根据协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，较Transphorm在2024年1月10日的收盘价溢价约35%，较过去十二个月的成交量加权平均价格溢价约56%，较过去六个月的成交量加权平均价格溢价约78%。

据了解，本次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。瑞萨电子方面表示，此次收购完成后，将为公司提供GaN的内部技术，从而扩展其在电动汽车、计算(数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。

瑞萨电子布局SiC和GaN

作为碳中和的基石，对高效电力系统的需求正在不断增加。为了应对这一趋势，相关产业正在向以碳化硅（SiC）和GaN为代表的宽禁带(WBG)材料过渡。这些先进材料比传统硅基器件具备更广泛的电压和开关频率范围。

在2023年5月，瑞萨社长兼CEO柴田英利在线上战略说明会上表示，将自2023年起开始投资SiC功率半导体，公司的目标是在2025年开始进行量产，目前瑞萨电子自建SiC生产线在建设中。除了自建SiC生产线之外，瑞萨电子还于2023年7月，与Wolfspeed签署了为期10年的SiC晶圆供应协议。

此次收购Transphorm，是瑞萨电子在GaN方面的布局，其目标是利用Transphorm在GaN方面的专业知识，进一步扩展瑞萨的WBG产品阵容。与SiC一样，GaN也是一种新兴材料，后者可实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的外形尺寸。这些优势可让系统具有更高效、更小、更轻的结构以及更低的总体成本。瑞萨将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型电源解决方案，例如用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案，以及面向计算、能源、工业和消费应用的解决方案。

最终收购将于2024年下半年完成

针对此次收购，目前Transphorm董事会已一致批准最终协议，并建议Transphorm股东通过该最终交易并批准合并。在签署本次最终协议的同时，持有Transphorm约38.6%已发行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已与瑞萨签订惯例投票协议以支持本次交易。

据了解，该交易预计将于2024年下半年完成，但需获得Transphorm股东的批准、监管部门的许可和其他惯例成交条件的满足。