众所周知，逻辑芯片技术前进方向是工艺越来越小，所以我们看到台积电等厂商，将芯片工艺不断的前进，从28nm，到22nm，14nm，再10nm、7nm……3nm。

目前有两大晶圆厂商已经实现了3nm，那么接下来就是2nm、1.4nm、1nm……

但3D NAND存储芯片不一样，厂商们测试发现，当NAND芯片的制程工艺进入到18nm之后，就无法再微缩下去了，不能说再推进到14nm，10nm，7nm等，不是技术不行，而是有其它问题。

厂商们发现，当芯片工艺到了18nm之后，再微缩的话，3D NAND闪存就会不稳定，工艺越先进，越不稳定，而对于存储芯片而言，最重要的就是数据安全，不稳定的芯片，这肯定是不行的。

所以我们看到，这些闪存芯片厂商们，在18nm之后，就不再执着于推进芯片工艺，而是转向了另外一条路，那就是多层堆叠，像盖房子一样往上多盖层数，堆叠的层数越高，存储密度越高，读写速度越快。

所以后来，这些3D NAND厂商们，就主攻堆叠技术，在2016年实现了64层堆叠后，之后就进入了堆叠的高速通道。

以三星为例，2018年实现96层，2019年实现128层，2021年实现176层，2022年搞定236层，速度越来越快。其它存储芯片厂商和三星进度稍不一样，但大差不差，基本处于同一水准。

而国产厂商长存，也在2022年搞定了232层堆叠技术，并且是全球第一家量产的厂商，打破了三星、SK海力士、美光的垄断。

在这样的压力之下，三星等巨头，肯定也是想不断突破，拉开与其它厂商的差距，这不三星近日有了一个3D NAND闪存的堆叠技术计划。

按照三星的计划，2024年是V9版本，310层堆叠技术，然后不断前进，到2030年时，推出V13版本，实现1058层堆叠，到2031年时，是V14版，1428层堆叠……

不过，3D NAND闪存要堆叠，也没有想象中的那么简单，毕竟堆叠层数越多，芯片的厚度就越高，这些问题要怎么解决，还需要三星等厂商，一步一步往前去研究。