记忆体大厂在CES期间大秀HBM的技术实力，看好高阶制程将翻转产业景气走势。康琼之摄

记忆体产业复甦迹象明确，AI浪潮快速兴起，各家记忆体大厂积极掌握先进制程商机作为成长动能，随著记忆体成为云端伺服器及AI终端应用不可或缺的要角。

此次2024年CES期间的各大记忆体厂均以AI为聚焦重心，HBM、高速传输等新品呈现百花齐放，率先抢攻记忆体从谷底翻身的成长契机。

 

儘管各大记忆体厂仍背负营运亏损的压力，但生成式AI採用高频宽记忆体（HBM）推动价格倍速翻涨，让记忆体产业从过去标准化的量产规模竞争，走向客制化的高技术含量竞争。

近期市场传出，大客户NVIDIA提前支付数亿美元预付款给SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），以确保2024年AI GPU搭配HBM3E的供货稳定，并降低记忆体业者财务及投资的压力。

尤其以SK海力士2023年已在HBM领域抢先攻下一城，取得全球市佔逾5成的领导地位，而三星电子（Samsung Electronics）也紧追在后。

据传，HBM3、HBM3E陆续结束产品测试，可望与NVIDIA签订供应合约，两家韩系记忆体厂不仅在HBM互别苗头，交锋战场延伸至CES展会，并扩大战线至云端伺服器的记忆体介面CXL（Compute Express Link）的布局。

SK海力士在CES展示了HBM3E，号称是业界最高的每秒1.18 TB的资料处理速度，满足AI市场在快速处理海量资料的需求，与前一代产品相比，速度将提高了1.3倍，资料容量也提高1.4 倍，独家开发的MR-MUF技术更是SK海力士的强调重点，提升散热性能约10%。

SK海力士预计将于2024年上半年量产HBM3E，至于CXL透过扩展记忆体和提高AI应用性能受到关注，预计在AI时代下将与HBM3E发挥相乘的关键效益。

三星针对生成式AI的DRAM方案有三大领域，分别为12奈米32 Gb DDR5 DRAM、HBM3E以及CXL记忆体模组产品。

其中，32Gb DDR5 DRAM 是目前单晶片容量最大的DRAM产品，而CXL介面虽然过去推动多年，但AI商机带来新机会，三星认为，透过在伺服器前端安装CXL介面的模组产品，将能大幅增加每台伺服器的记忆体容量，将适合用于处理大量资料的生成式AI平台。

随著生成式AI应用逐渐地从云端资料中心扩展至终端边缘装置，内建AI功能的PC将在2024年先后登场推出，美光在CES展出的LPCAMM2记忆体被视为AI PC的最后一哩路，採用LPDDR5X DRAM，但更强调降低功耗及节省空间。

美光强调，LPCAMM2已开始送样，预计于2024年上半年量产，将导入多家PC大厂的笔电新品。

不仅三大记忆体厂在CES大打AI商机，台厂钰创也在CES首度亮相4Gb DDR3 LRTDRAMTM(Long Retention Time Dynamic Random-Access Memory)，锁定在AI应用、KGD异质整合封装、车载等高温应用情境的创新型记忆体，以独家首创的长效资料保存技术为重点诉求。

由于AI应用在高速运算的需求下，传统DRAM受限于先天物理特性，存取效能会随著温度上升而衰减。钰创表示，4Gb DDR3 LRTDRAM可在摄氏122度的高温下达到超过104毫秒的100%长时保留，目前4Gb DDR3 LRTDRAM相关验证已经完成，并开始送样给客户。